Nomor Bagian：BLF647PMprodusen：AmpleonKategori：200W Broadband LDMOS RF Transistor Daya, HF hingga 1500 MHz Spesifikasi Rentang Frekuensi: 0 ～ 1500 MHz (HF～UHF) Daya Output: 200 W (CW/Berdenyut) Penguatan Daya: 17,5～18 dB (Umum) Pasokan Tegangan: 32 V DC (Umum) Tegangan Sumber Pembuangan (Vds): 65 V Efisiensi Pembuangan: 70% (Umum @ 1300 MHz) Arus Diam (Iq): 200 mA (Umum) Paket: SOT-1121A (bergelang) Resistansi Termal (Rth(jc)): 0,34 K/W Suhu Pengoperasian: -65 ℃ ～ +225 ℃ (Persimpangan) Teknologi: LDMOS (peningkatan saluran N) Kepatuhan: Sesuai RoHS, Fitur Bebas Timah Broadband Daya Tinggi: 200W dari HF hingga 1,5 GHz, ideal untuk desain terpadu multi-band Penguatan & Efisiensi Tinggi: penguatan 18dB, efisiensi tipikal 70%; mengurangi anggaran panas & daya Ketangguhan Luar Biasa: Menoleransi ketidaksesuaian beban yang parah; sempurna untuk aplikasi industri/penyiaran dengan keandalan tinggi Perlindungan ESD Terintegrasi: Menyederhanakan desain ESD, meningkatkan hasil produksi Kontrol & Stabilitas Mudah: Pasokan 32V tunggal, kontrol daya sederhana; rendah Ciss=78pF, Crss=1.3pF untuk stabilitas frekuensi tinggi yang baik Aplikasi Pemancar siaran (FM/TV, siaran digital) Pemanas RF industri, pasokan penggerak plasma & laser Stasiun pangkalan komunikasi/PMR: Amplifier daya tinggi VHF/UHF Ilmiah/medis: sumber RF energi tinggi, amplifikasi daya berdenyut