Kekuatan Pita Lebar GaN HEMT

(Total 4 Products)

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

dapatkan harga terbaru

Merek:AMPLEON
Min. Memesan:1
Model No:CLL3H0914LS-700U

Nomor Bagian:CLL3H0914LS-700U Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：L-band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), jaringan stabilitas + pra-cocok internal, 0,9–1,4 GHz, paket flensa tanpa telinga, radar...

Hubungi sekarang
C4H18W500A MOSFET RF 48V

dapatkan harga terbaru

Merek:AMPLEON
Min. Memesan:1
Model No:C4H18W500AZ C4H18W500AY

Nomor Bagian：C4H18W500A Pabrikan：Ampleon Jenis Perangkat：GaN (Gallium Nitride), transistor daya Doherty asimetris, 1800–2000 MHz, daya puncak 500 W, khusus untuk amplifikasi tahap akhir RF stasiun pangkalan makro 4G/5G. Spesifikasi Utama...

Hubungi sekarang
GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

dapatkan harga terbaru

Merek:AMPLEON
Min. Memesan:1
Model No:CLL3H0914L-700U

Nomor Bagian：CLL3H0914L-700 Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：L-band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), pra-pencocokan internal, 0,9–1,4 GHz, radar pulsa/transistor tahap akhir berdaya tinggi...

Hubungi sekarang
C4H18W500A MOSFET RF 48V SOT1273

dapatkan harga terbaru

Merek:AMPLEON
Min. Memesan:1
Model No:C4H18W500A

Nomor Bagian：C4H18W500A Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：Gallium Nitrida（GaN）HEMT, transistor daya RF Doherty asimetris 48V Aplikasi：Penguat daya akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G / 5G AAU & RRU, 1800～2000 MHz Spesifikasi Utama Rentang...

Hubungi sekarang

Langkah 1

Kekuatan Pita Lebar GaN HEMT

Broadband Power GaN HEMT adalah transistor mobilitas elektron tinggi galium nitrida dengan efisiensi tinggi. Ini memiliki cakupan frekuensi yang luas, daya keluaran tinggi dan kinerja penguatan yang sangat baik. Ia mempertahankan daya stabil dan karakteristik linier pada jangkauan broadband penuh, ideal untuk amplifikasi daya RF multi-band.

SILAHKAN TINGGALKAN PESAN kepada kami

KAMI AKAN MENGHUBUNGI ANDA