C4H18W500A MOSFET RF 48V SOT1273

Spesifikasi Utama

• Rentang Frekuensi：1800MHz ~ 2000MHz
• Tegangan Pasokan：48 V (Biasa)
• Daya Keluaran Puncak：500 W
• Penguatan Daya：15,0 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：59% (Biasa)
• Paket: SOT1258-4, paket rongga udara flensa tanpa telinga
• Konfigurasi: Doherty asimetris terintegrasi dengan pencocokan input on-chip
• Fitur Utama：Teknologi GaN efisiensi tinggi, efek memori rendah, kompatibel dengan DPD, ketangguhan VSWR 10:1

Fitur

1. Mengadopsi proses semikonduktor GaN yang canggih, memberikan efisiensi lebih tinggi dan konsumsi daya lebih rendah dibandingkan LDMOS tradisional；
2. Arsitektur Doherty asimetris bawaan, dioptimalkan secara sempurna untuk sinyal 5G NR dan LTE multi-operator PAPR tinggi；
3. Jaringan pencocokan input pita lebar terintegrasi mengurangi komponen RF eksternal dan mempercepat desain；
4. Efek memori rendah memastikan linearitas yang sangat baik setelah koreksi DPD；
5. Ketangguhan tinggi dengan toleransi ketidaksesuaian beban fase penuh 10:1 untuk pengoperasian stasiun pangkalan jangka panjang yang stabil；
6. Paket flensa yang dioptimalkan dengan pembuangan panas yang unggul untuk pengoperasian daya tinggi yang berkelanjutan.

Aplikasi Khas

• Amplifier akhir stasiun pangkalan makro untuk band 5G n39/n40 & 4G B39/B40
• Sistem pemancar RF jaringan pribadi broadband
• Modul penguat daya RF linier berdaya tinggi

Definisi Nomor Bagian

• C4:Perangkat daya GaN, platform 48V
• H18：cakupan pita frekuensi 1,8GHz（1800–2000MHz）
• W500：Daya puncak 500 Watt
• J: Konfigurasi Doherty asimetris