Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Kekuatan Pita Lebar GaN HEMT> CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: CLL3H0914LS-700U

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Nomor Bagian:CLL3H0914LS-700U
Pabrikan:Ampleon
Tipe Perangkat:L-band, 700W GaN‑SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor), jaringan stabilitas + pra-cocok internal, 0,9–1,4 GHz, paket flensa tanpa telinga, radar pulsa/transistor tahap akhir berdaya tinggi dirgantara.

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=50V, pulsa tp=100μs, δ=10%, kelas‑AB)

  • Rentang Frekuensi:0,9 GHz ~ 1,4 GHz (L-band)
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):50 V (Biasa), Maks 150 V
  • Arus Diam (IDq):500 mA (Biasa)
  • Daya Output Jenuh (PL(sat)):725–850 W (58,6–59,3 dBm)
  • Penguatan Daya (Gp):16–17 dB (Biasa)
  • Efisiensi Pengurasan (ηD):62–71 % (Biasa, 1,2–1,4 GHz)
  • Kerugian Pengembalian Masukan (RLin):−10 ~ −16 dB (Biasa)
  • Paket: SOT502B (keramik bergelang tanpa telinga), 2 sadapan, pembuangan panas tinggi
  • Ketahanan Termal (Persimpangan ke Casing): Keadaan stabil 0,38 K/W;Pulsa (3ms) 0,24 K/W
  • Fitur: Jaringan pra-pencocokan + stabilitas internal, perlindungan ESD, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR=10:1), efisiensi tinggi, ketahanan termal rendah.

Fitur Utama

  • GaN‑SiC generasi ke-3:Kepadatan daya tinggi, efisiensi tinggi, suhu sambungan tinggi (225°C), mengungguli LDMOS;
  • Pita lebar ultra 0,9–1,4 GHz:Radar pita L (960/1030/1090/1215 MHz), ruang angkasa, ECM;
  • Pra-pencocokan + stabilitas internal:Menyederhanakan pencocokan eksternal, memperpendek siklus desain, stabilitas broadband;
  • Kekasaran tinggi:Toleransi ketidakcocokan (VSWR=10:1 semua fase), tahan lonjakan pulsa, cocok untuk pengoperasian pulsa panjang/pendek;
  • Paket keramik bergelang tanpa telinga (SOT502B): Lebih ringkas dibandingkan SOT502A, ketahanan termal sangat rendah, pembuangan panas luar biasa, keandalan tinggi untuk pengoperasian daya tinggi jangka panjang;
  • Sesuai RoHS:Bebas timah, ramah lingkungan.

Aplikasi Khas

  • Penguat akhir daya tinggi radar pulsa L-band (kelas 700W, 960–1215 MHz);
  • Transponder luar angkasa 1030 MHz/pemancar DME;
  • Penanggulangan Elektronik (ECM), pengacau broadband berdaya tinggi;
  • Sumber daya frekuensi tinggi Industri, Ilmiah, Medis (ISM);
  • Penggantian LDMOS lama (misalnya, BLL9G1214L-600), meningkatkan efisiensi & kepadatan daya.

Definisi Nomor Bagian

  • CLL:C‑band/L‑band, GaN HEMT, transistor daya
  • 3:Proses GaN generasi ke-3
  • H0914:Pita frekuensi 0,9–1,4 GHz
  • LS:L‑band, paket flensa tanpa telinga (SOT502B)
  • Peringkat daya 700:700W (output jenuh)
  • U:Kemasan baki, tidak kering
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Kekuatan Pita Lebar GaN HEMT> CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim