C4H18W500A MOSFET RF 48V

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=48V, sinyal W‑CDMA/5G NR)

• Rentang Frekuensi：1800 MHz ~ 2000 MHz (band mainstream seperti n39/n40, B39/B40)
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):48 V (Biasa), Maks 52 V (pengoperasian) / 150V (kerusakan)
• Arus Diam (IDq):350 mA (amp Utama, Tipe)
• Daya Keluaran Rata-rata (PL(AV)):83–85 W (49,2–49,3 dBm)
• Daya Output Puncak (PL(M)):500–550 W (Biasanya 500 W)
• Penguatan Daya (Gp):15 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan (ηD):59 % (Biasa)
• Rasio Daya Saluran Berdekatan (ACPR):−31 dBc (Biasanya, ≤−50 dBc setelah linearisasi)
• Kerugian Pengembalian Masukan (RLin):−16 dB (Biasa)
• Paket：SOT1258-4 (plastik 6-timah, flensa tanpa telinga, rongga udara)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Casing):0,17–0,19 K/W (pada disipasi daya 80–120W)
• Fitur: Pra-pencocokan internal, kapasitansi keluaran rendah, pengoperasian pita lebar, kemampuan DPD yang kuat, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR=10:1), ketangguhan tinggi

Fitur Utama

• Arsitektur Doherty asimetris GaN +：Jalur ganda utama+puncak terintegrasi; Teknologi GaN menghadirkan daya dan efisiensi tinggi yang melekat, dioptimalkan untuk sinyal PAPR tinggi 5G dengan efisiensi dan linearitas luar biasa；
• Kepadatan daya tinggi：daya puncak 500W, penguatan 15dB, ideal untuk jangkauan daya tinggi pada pita 1,8–2,0GHz；
• Efisiensi & linearitas unggul：Efisiensi pengurasan tipikal 59%, kemampuan linearisasi DPD yang kuat dengan efek memori rendah, cocok untuk skenario multi-carrier dan mMIMO；
• Desain pita lebar：Operasi broadband 1800–2000MHz yang mencakup pita arus utama 4G/5G, menyederhanakan desain solusi multi-band；
• Pra-pencocokan internal：Menyederhanakan sirkuit pencocokan eksternal, memperpendek siklus desain, dan mengurangi biaya BOM；
• Ketangguhan tinggi：Tahan VSWR=10:1 ketidaksesuaian beban semua fase untuk pengoperasian stabil jangka panjang；
• Sesuai RoHS: Bebas timah, ramah lingkungan.

Aplikasi Khas

• Penguat akhir stasiun pangkalan makro 5G (1800–2000 MHz, pita n39/n40)；
• Amplifikasi RF multi-operator 4G LTE/5G NR；
• Saluran transmisi stasiun pangkalan RF berdaya tinggi；
• Penggantian solusi LDMOS (misalnya seri BLC) untuk efisiensi lebih tinggi dan bandwidth lebih lebar.

Definisi Nomor Bagian

• C4:Teknologi GaN, kelas tegangan 48V
• H18：pita 1,8GHz (1800–2000MHz)
• W500：Peringkat daya puncak 500W
• J: Doherty asimetris, versi standar