BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

Spesifikasi Utama

• Rentang Frekuensi：616MHz ~ 960MHz
• Tegangan Pasokan Khas：50 V,VDS Maks：105 V
• Daya Output：30 W (W‑CDMA operator tunggal)
• Penguatan Daya：18,3 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：13,5 % (Biasa, Kelas AB)
• Paket: SOT1483 ‑1 paket garis kecil plastik (2 lead)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus):1,7 K/W
• Ketangguhan：Kemampuan menahan kekuatan penuh VSWR 10:1
• Fitur: Keuntungan tinggi, efisiensi tinggi, perlindungan ESD bawaan, stabilitas termal yang sangat baik, desain broadband

Fitur Utama

• Teknologi LDMOS generasi ke-9 menghadirkan keseimbangan optimal antara penguatan dan efisiensi.
• Cakupan pita lebar sub‑1GHz mendukung 4G LTE, 3G W‑CDMA, 2G GSM/EDGE, dan sinyal multistandar lainnya.
• Paket plastik, ukuran kecil dan biaya rendah, cocok untuk produksi massal.
• Kuat terhadap ketidaksesuaian beban (VSWR 10:1), keandalan tinggi untuk kondisi pengoperasian yang berat.

Aplikasi Khas

• Penguat driver untuk stasiun pangkalan makro 4G/3G/2G RRU/AAU；
• Amplifier akhir berdaya rendah untuk sub‑1GHz (misalnya, sel kecil, sel pico)；
• Jaringan nirkabel pribadi, keamanan publik, pemancar berdaya tinggi pita ISM.

Definisi Nomor Bagian

• BLP: Transistor LDMOS stasiun pangkalan yang dikemas plastik
• 9：Proses LDMOS generasi ke-9
• H: Daya tinggi / tingkat efisiensi tinggi
• Platform frekuensi 10：616–960 MHz
• Peringkat daya 30：30 W
• G:Versi standar