BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48V SOT1273-1

Spesifikasi Utama

• Rentang Frekuensi：617MHz ~ 960MHz
• Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):48 V (Biasa), VDS Maks：110 V
• Daya Output：500 W (1‑carrier W‑CDMA, PAR=9,6 ​​dB)
• Penguatan Daya：19,3 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：53 % (Biasa)
• Paket：SOT1273‑1 paket rongga bergelang tanpa telinga (4 kabel)
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kotak): 0,25 K/W
• Fitur: Efek memori rendah, kompatibel dengan DPD, pencocokan input pita lebar terintegrasi, perlindungan ESD

Fitur Utama

• Teknologi LDMOS generasi ke-9 dengan arsitektur Doherty asimetris menghadirkan daya, efisiensi, dan linearitas tinggi；
• Cakupan pita lebar sub‑1GHz mendukung 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA, dan sinyal PAR tinggi multistandar lainnya；
• Pencocokan input pita lebar terintegrasi menyederhanakan sirkuit eksternal dan mengurangi kompleksitas desain；
• Kapasitansi keluaran rendah dan efek memori rendah memastikan kinerja DPD yang sangat baik untuk skenario multi-carrier yang kompleks；
• Ketahanan termal yang rendah memberikan pembuangan panas yang unggul dan stabilitas pengoperasian jangka panjang；
• Perlindungan ESD bawaan dan kepatuhan RoHS memastikan keandalan yang tinggi.

Aplikasi Khas

• Penguat akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G RRU/AAU (617–960 MHz)；
• Pemancar berdaya tinggi multi-carrier sub‑1GHz；
• Jaringan nirkabel pribadi, keamanan publik, peralatan RF berdaya tinggi pita ISM.

Definisi Nomor Bagian

• BLC: Transistor LDMOS stasiun pangkalan yang dikemas rongga bergelang tanpa telinga
• 9：Proses LDMOS generasi ke-9
• H: Daya tinggi / tingkat efisiensi tinggi
• Platform frekuensi 10：617–960 MHz
• XS：Konfigurasi Doherty asimetris
• Peringkat daya 500：500 W
• J:Versi standar