BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM10D1822-60ABGZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

BLM10D1822-60ABG LDMOS Doherty MMIC terintegrasi 2 tahap

BLM10D1822-60ABGZ adalah Doherty MMIC dua tahap LDMOS generasi ke-10 yang terintegrasi penuh dari Ampleon, beroperasi pada 1800～2200 MHz. Dioptimalkan untuk base station makro 4G/5G dan tahap final/driver mMIMO, akhiran “Z” menunjukkan bebas timah yang memenuhi standar RoHS (kinerja serupa dengan BLM10D1822-60ABG).

Ini mengintegrasikan pembagi input, amplifier Doherty dua tahap, penggabung output, dan jaringan pra-pencocokan dalam satu chip, yang memiliki daya tinggi, efisiensi tinggi, dan integrasi tinggi, menyederhanakan sirkuit periferal untuk PA stasiun pangkalan berdaya tinggi yang ringkas.

Spesifikasi Utama

Pabrikan: Ampeon
Nomor Bagian: BLM10D1822-60ABGZ
Rentang Frekuensi: 1800～2200 MHz
Daya Output Rata-Rata Khas: 60 W
Daya Output Jenuh: tipikal 75 W
Penguatan Daya: tipikal 30 dB
Efisiensi Pengurasan: 48% tipikal (dengan daya rata-rata 60 W)
Tegangan Pasokan: 28 V
Paket: PQFN20 (sayap camar, dudukan di permukaan)
Teknologi: LDMOS silikon generasi ke-10 (LDMOS GEN10)
Status: Dalam produksi (Z = bebas timah)

Fitur

Teknologi LDMOS generasi ke-10, integrasi chip tunggal Doherty dua tahap dengan jalur operator/puncak independen.
Cakupan pita lebar 1,8G～2.2G, mendukung sistem multi-standar GSM, LTE, 5G NR n1/n3.
Gain tinggi, linearitas luar biasa, efek memori rendah, DPD siap untuk linearisasi optimal.
Penggabung input/output terintegrasi, pra-pencocokan 50 Ω, BOM minimal, tanpa penyetelan rumit.
Bias pembawa/puncak independen untuk efisiensi fleksibel/optimasi linearitas.
Perlindungan ESD terintegrasi, stabilitas termal yang sangat baik, ketangguhan VSWR yang tinggi untuk keandalan yang tinggi.

Aplikasi

Pemancar makro 4G/5G dan amplifier daya akhir mMIMO
Amplifikasi RF berdaya tinggi untuk infrastruktur nirkabel 1,8–2,2 GHz
Tahapan driver stasiun pangkalan (pra-amplifikasi untuk transistor berdaya tinggi)
Modul amplifier Doherty efisiensi tinggi, pemancar RF berdaya tinggi yang ringkas

Produk panas