BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Disediakan oleh Ampleon, BLP15M9S70GZ adalah transistor daya frekuensi radio LDMOS serbaguna dengan daya keluaran 70W. Ini mengadopsi proses manufaktur LDMOS tegangan tinggi 32V generasi ke-9 yang mutakhir.

Bertempat di paket pemasangan permukaan SOT-1483-1 dan TO-270-2F-2 berukuran mini, perangkat ini mendukung frekuensi kerja dari pita frekuensi tinggi hingga 1500MHz. Sangat cocok untuk peralatan transmisi siaran, skenario industri ISM dan berbagai fasilitas jaringan komunikasi.

Menampilkan kinerja broadband yang luar biasa, efisiensi konversi daya yang luar biasa, dan stabilitas struktural yang andal, perangkat ini bertindak sebagai kernel amplifikasi daya yang ideal untuk pemancar sinyal digital dan analog.

Fitur Utama

Performa Broadband & Efisiensi Tinggi: Daya output tipikal sebesar 70 W pada 470 MHz, penguatan daya hingga 17,6 dB, dan efisiensi pengurasan sebesar 70% (VDS=32 V, IDQ=250 mA), menghasilkan efisiensi energi yang luar biasa.
Ketangguhan Luar Biasa: Tahan ketidaksesuaian beban VSWR pita penuh 20:1 pada tegangan suplai 32 V, menampilkan ketahanan guncangan yang luar biasa untuk kondisi pengoperasian yang keras.
Perlindungan ESD Terintegrasi: Sirkuit perlindungan ESD dua sisi bawaan secara signifikan meningkatkan keandalan perangkat selama produksi, pemasangan, dan pengoperasian, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis.
Keandalan Tingkat Industri: Tegangan sumber pembuangan maksimum 65 V, toleransi suhu sambungan hingga 225°C, dan ketahanan termal rendah (sambungan ke casing) sebesar 0,85 K/W, cocok untuk pengoperasian berkelanjutan jangka panjang.
Rentang Frekuensi Lebar: Mencakup pita HF penuh hingga 1500 MHz, dapat disesuaikan dengan aplikasi frekuensi berbeda tanpa penyesuaian, menyederhanakan desain sistem.
Desain Paket Ringkas: Paket pemasangan permukaan SOT-1483-1 (TO-270-2F-2) dengan konfigurasi 4-pin, memfasilitasi instalasi kepadatan tinggi dan manajemen termal.

Aplikasi Khas

Tahap penguatan daya untuk pemancar siaran HF/VHF/UHF (siaran AM/FM/digital)
Aplikasi Industri, Ilmiah dan Medis (ISM): peralatan pemanas, pengeringan, dan pembangkit plasma RF
Tahap penguatan daya di stasiun pangkalan dan repeater komunikasi profesional
Sumber sinyal berdaya tinggi untuk instrumen uji RF
Amplifikasi daya dalam infrastruktur nirkabel dan sistem komunikasi perusahaan
Amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi dirgantara dan pertahanan

Spesifikasi

Parameter	Value	Notes
Frequency Range	HF–1500 MHz (0.01–1.5 GHz)	High frequency to UHF band
Output Power (CW)	70 W (typical)	470 MHz, VDS=32 V, IDQ=250 mA
Power Gain	17.6 dB (typical)	470 MHz, Pout=70 W
Drain Efficiency	70% (typical)	470 MHz, Pout=70 W
Supply Voltage	32 V (DC)	Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage	65 V	Absolute maximum rating
Package	SOT-1483-1 (TO-270-2F-2)	4-pin surface-mount design
Thermal Resistance (junction-to-case)	0.85 K/W	Typical value
Junction Temperature	Up to 225°C	Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness	20:1	Full frequency band, 32 V supply
ESD Protection	Integrated dual-sided ESD protection	Enhances reliability
Input Return Loss	-13 dB (typical)	470 MHz, Pout=70 W
Linearity	36 dBc	470 MHz, Pout=70 W, DVB-T signal
Quiescent Current	IDQ=250 mA	Typical operating point
Input Capacitance	180 pF	Typical value, VGS=0 V
Output Capacitance	35 pF	Typical value, VDS=32 V

Informasi Pemesanan & Pengemasan

Ordering Part Number	Package Type	Packaging Description	Minimum Order Quantity	Notes
BLP15M9S70GZTR	Tape & Reel (TR)	TR13; 500 pieces/reel; 24 mm width; dry pack	500 pieces	Standard bulk packaging
BLP15M9S70GZCT	Cut Tape (CT)	Single cut tape	1 piece	Sample or small quantity purchase
BLP15M9S70GZXY	Tube	Single tube packaging	50 pieces	Standard tube specification
Status	Active	Available for normal ordering	-	Ampleon standard product

Kondisi Pengoperasian yang Direkomendasikan

Konfigurasi Catu Daya:
- Tegangan Pembuangan: 32 V DC (disarankan), kisaran 28–34 V
- Bias Gerbang: -2,5 V hingga 0 V (sesuaikan dengan linearitas yang diperlukan)
- Arus Diam: 250 mA (khas, 470 MHz, keluaran 70 W)
- Riak Catu Daya: ≤50 mV (puncak ke puncak), kapasitor ESR rendah direkomendasikan untuk pemfilteran
Manajemen Termal:
- Pendingin yang Direkomendasikan: pendingin tembaga ≥80 mm², ketebalan ≥2 mm
- Kontrol Suhu Persimpangan: ≤150°C (operasi berkelanjutan), ≤200°C (operasi berdenyut)
- Bahan Antarmuka Termal: Ketahanan termal ≤0,1 K/W, disarankan menggunakan pelumas atau bantalan termal
- Torsi Pemasangan: 0,8–1,0 N·m (pastikan kontak termal yang baik)
Kondisi Pengoperasian RF:
- Daya Masukan: 1,12 W (470 MHz, keluaran 70 W, penguatan 17,6 dB)
- Sinyal Penggerak: pencocokan impedansi 50 Ω, VSWR ≤1,5:1
- Mode Pengoperasian: Kelas AB (disarankan), juga cocok untuk aplikasi Kelas A atau Kelas C
- Operasi Berdenyut: Siklus kerja ≤50% (disarankan), hingga 100% (CW)

Pedoman Desain Sirkuit Pengemudi

Pencocokan Impedansi:
- Pencocokan Input: Gunakan jaringan tipe-L atau tipe π untuk mencocokkan sumber driver 50 Ω dengan impedansi input transistor (kira-kira 6–12 Ω)
- Pencocokan Output: Rancang jaringan pencocokan broadband untuk memastikan VSWR ≤1,5:1 dalam pita frekuensi pengoperasian
- Jalur mikrostrip atau kabel koaksial direkomendasikan untuk pencocokan frekuensi tinggi untuk meminimalkan efek parasit
Desain Sirkuit Bias:
- Bias Gerbang: Gunakan jaringan pembagi tegangan resistif untuk memberikan bias negatif yang stabil, tambahkan kapasitor decoupling 10 μF dan 0,1 μF
- Drain Bias: Menyediakan daya DC melalui induktor tersedak atau saluran transmisi λ/4 untuk mencegah kebocoran sinyal RF
- Kompensasi Suhu: Tambahkan termistor untuk mengkompensasi variasi tegangan ambang gerbang dengan suhu (kira-kira -2 mV/°C)
Sirkuit Perlindungan:
- Proteksi Tegangan Berlebih: Tambahkan dioda TVS (tegangan tembus ≥45 V) pada terminal catu daya saluran
- Perlindungan Arus Berlebih: Hubungkan resistor indra 0,1 Ω secara seri, pantau arus pembuangan dengan komparator
- Perlindungan ESD: Tambahkan penekan ESD (tegangan pengenal ≥15 V) pada port input dan output
- Perlindungan Lonjakan: Tambahkan sekering (arus terukur ≥4 A) pada terminal input daya
Rekomendasi Tata Letak PCB:
- Gunakan PCB 2 lapis atau 4 lapis dengan bidang ground atas dan bawah untuk mengurangi impedansi ground
- Koneksi Pin Transistor: Gunakan jalur terpendek, lebar jejak gerbang ≤1 mm, lebar jejak pembuangan ≥2,5 mm
- Kapasitor Decoupling: Tempatkan kapasitor keramik frekuensi tinggi (0,1 μF) dan kapasitor elektrolitik (10 μF) di dekat titik bias saluran dan gerbang
- Bantalan Termal: Pastikan koneksi yang baik antara bantalan termal transistor dan ground plane PCB, gunakan beberapa vias untuk mengurangi hambatan termal