Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLC10G18XS-602AVT BLC10G18XS-602AVTZ BLC10G18XS-602AVTY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
LDMOS DAYA HF/VHF
BLC10G18XS-602AVT adalah transistor daya LDMOS RF berkinerja tinggi yang diproduksi oleh Ampleon, dirancang untuk aplikasi stasiun pangkalan makro dalam rentang frekuensi 1805–1880 MHz (pita 1,8 GHz). Ini memberikan daya puncak tinggi, gain tinggi, dan efisiensi tinggi, dioptimalkan untuk sistem infrastruktur nirkabel 4G LTE dan 5G NR.
Spesifikasi Utama
  • Pabrikan: Ampleon (Belanda)
  • Nomor Bagian: BLC10G18XS-602AVT
  • Rentang Frekuensi: 1805 MHz hingga 1880 MHz
  • Daya Output Puncak (PPEAK): 720 W (pada 30 V)
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS): 30 V
  • Penguatan Daya (Gp): 16 dB (khas)
  • Efisiensi Pembuangan (ηD): 49% (khas)
  • Paket: SOT1258-4 (ACP3-1230-6), paket keramik rongga udara
  • Teknologi: LDMOS (Silikon)
  • Aplikasi: Penguat daya akhir (PA) stasiun pangkalan makro
  • Pengemudi yang Direkomendasikan: B11G1822N60D
  • Status: Sedang diproduksi
Fitur
  1. Kepadatan Daya Tinggi: Daya puncak 720 W pada 30 V, memungkinkan desain makro PA output tinggi.
  2. Efisiensi Tinggi: 49% efisiensi pembuangan tipikal mengurangi konsumsi daya dan beban termal.
  3. Penguatan Tinggi: Penguatan 16 dB menyederhanakan susunan PA dan mengurangi tahapan driver.
  4. Dioptimalkan Doherty: Kapasitansi keluaran rendah untuk meningkatkan efisiensi dalam konfigurasi penguat Doherty.
  5. Kekasaran Tinggi: Ketahanan luar biasa terhadap kondisi VSWR (rasio gelombang berdiri tegangan) yang tinggi, memastikan keandalan dalam penerapan di dunia nyata.
  6. Ketahanan Termal Rendah: Paket ACP3-1230-6 memberikan stabilitas termal yang unggul, menjaga kinerja pada suhu tinggi.
  7. Sesuai RoHS: Ramah lingkungan, sesuai dengan arahan RoHS UE.
Aplikasi
  • Stasiun Pangkalan Makro 4G LTE & 5G NR: Tahap penguat daya akhir untuk sistem komunikasi nirkabel pita 1,8 GHz.
  • Infrastruktur Nirkabel: Amplifikasi RF berdaya tinggi untuk jangkauan jaringan seluler dan perluasan kapasitas.
  • Penguat Doherty: Dioptimalkan untuk arsitektur Doherty PA efisiensi tinggi yang digunakan di stasiun pangkalan modern.
Paket & Mekanik
  • Jenis Paket: Keramik Rongga Udara (ACP) SOT1258-4
  • Dimensi: 32,25 × 9,78 × 4,0 mm (P × L × T)
  • Terminal: kabel gullwing untuk memudahkan perakitan pemasangan di permukaan
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim