Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLC10G27XS-551AVT BLC10G27XS-551AVTZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Transistor LDMOS Daya

Model: BLC10G27XS-551AVT

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Transistor Daya Doherty Asimetris yang Dikemas LDMOS 28V Generasi ke-10, dioptimalkan untuk aplikasi amplifikasi daya tahap akhir stasiun pangkalan makro 2,62–2,69GHz 5G NR n78 band

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	2620 MHz ~ 2690 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band)
Peak Output Power	550 W Continuous Wave (CW), in Asymmetric Doherty Configuration
Typical Power Gain	13.5 dB (Doherty operation mode)
Typical Drain Efficiency	66.7% (Industry-leading level, significantly reducing base station energy consumption)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Voltage 65V
Quiescent Current	750 mA (main path), 0 mA (peaking path) typical
Package Type	SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 4-pin RF power package with high-efficiency thermal pad
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 0.22 K/W, excellent heat dissipation performance
Special Features	Internally matched to 50Ω input/output, lower output capacitance for improved Doherty performance, integrated ESD protection
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih LDMOS generasi ke-10 Ampleon, mencapai keseimbangan sempurna antara daya keluaran ultra-tinggi 550W dan efisiensi pembuangan ultra-tinggi 66,7%, secara signifikan mengurangi konsumsi daya operasional stasiun pangkalan makro 5G.
Arsitektur Doherty asimetris yang dioptimalkan dengan kapasitansi keluaran lebih rendah meningkatkan kinerja aplikasi Doherty, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR 5G NR tinggi.
Jaringan pencocokan input/output 50Ω yang terintegrasi penuh menghilangkan sirkuit pencocokan eksternal yang kompleks, sangat menyederhanakan desain PCB RF dan mempercepat waktu stasiun pangkalan ke pasar.
Desain efek memori rendah memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan kinerja Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) dan Error Vector Magnitude (EVM) yang luar biasa setelah DPD, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk BTS 5G.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, sehingga mengurangi risiko kerusakan.
Desain paket ketahanan termal rendah (0,22 K/W) dengan pembuangan panas yang efisien memastikan pengoperasian perangkat yang stabil dalam kondisi kerja jangka panjang berdaya tinggi, sehingga memperpanjang masa pakai.
Sesuai RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan makro 5G NR n78 band (2,6GHz)
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO (mMIMO) yang masif
Sistem pemancar komunikasi broadband canggih 5G
Stasiun pangkalan komunikasi agregasi multi-operator (CA).
Sistem transmisi RF berdaya tinggi untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT)
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel

Produk panas