BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLC10G18XS-552AVT

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

BLC10G18XS-552AVT adalah transistor Daya LDMOS

BLC10G18XS-552AVT adalah transistor daya Doherty asimetris LDMOS generasi ke-10 dari Ampleon (Belanda), yang dioptimalkan untuk amplifier daya akhir stasiun pangkalan makro 4G/5G pada pita 1805–1880 MHz (1,8 GHz). Ini menghasilkan daya tinggi, efisiensi tinggi, linearitas tinggi, dan ketangguhan tinggi, menjadikannya perangkat inti untuk amplifier daya efisiensi tinggi di stasiun pangkalan besar.

Spesifikasi Utama

Pabrikan: Ampleon (Belanda)
Nomor Bagian: BLC10G18XS-552AVT
Rentang Frekuensi: 1805–1880 MHz
Daya Output Puncak (Psat): 630 W (khas, Doherty)
Daya Keluaran Rata-rata (PAVG): 180 W @ 30 V, masukan 26 dBm
Penguatan Daya (Gp): 16,8 dB (khas)
Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS): 30 V
Efisiensi: 48,3% (khas)
Paket: SOT1258-4 (paket Doherty asimetris)
Teknologi: LDMOS generasi ke-10 (Silikon)
Aplikasi: amplifier akhir stasiun pangkalan makro 1,8 GHz 4G/5G, amplifier daya RF multi-carrier
Status: Sedang diproduksi

Fitur

Arsitektur Doherty Berdaya Tinggi: Desain Doherty Asimetris dengan daya puncak 630 W, memenuhi kebutuhan daya tinggi untuk stasiun pangkalan besar.
Efisiensi Tinggi & Konsumsi Daya Rendah: Efisiensi umum sebesar 48,3%, mengurangi konsumsi daya stasiun pangkalan dan biaya operasional.
Stabilitas Termal yang Sangat Baik: Desain ketahanan termal yang rendah memastikan pengoperasian yang stabil pada suhu tinggi dan memperpanjang umur perangkatAmpleon.
Kapasitansi Output Rendah: Dioptimalkan untuk kinerja Doherty, meningkatkan linearitas dan efisiensi amplifierAmpleon.
Efek Memori Rendah: Kompatibel dengan DPD (Digital Pre‑Distortion), menghadirkan linearitas luar biasa untuk sinyal termodulasi kompleksAmpleon.
Pencocokan Internal: Pencocokan internal input/output menyederhanakan desain sirkuit dan memperpendek siklus debuggingAmpleon.
Kekasaran Tinggi: Tahan ketidakcocokan VSWR yang tinggi dan mengintegrasikan perlindungan ESD untuk keandalan yang tinggiAmpleon.
Sesuai RoHS: Sesuai dengan arahan lingkungan UE, Ampleon ramah lingkungan.

Aplikasi

Pemancar Makro 4G LTE & 5G NR: Amplifikasi daya final untuk pita 1,8 GHz, mencakup skenario cakupan area luas.
Amplifier Daya RF Multi-Pembawa: Mendukung sinyal multi-pembawa dan multi-standar, beradaptasi dengan sistem stasiun pangkalan yang kompleks.
Amplifier Doherty Efisiensi Tinggi: Ideal untuk arsitektur Doherty PA berdaya tinggi dan berefisiensi tinggi di stasiun pangkalan besar.