Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLC8G21LS-160AVZ BLC8G21LS-160AVY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
BLC8G21LS-160AVZ adalah transistor daya RF LDMOS saluran N ganda yang didasarkan pada teknologi LDMOS Gen8 Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun induk 4G/5G 1805–2025MHz (1,8–2,025GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan amplifier daya Doherty efisiensi tinggi. Bertempat di paket SOT1275-1 (DFM-6/7-pin base mount), ia memiliki fitur daya tinggi, gain tinggi, linearitas tinggi, dan keandalan tinggi, kompatibel dengan arsitektur Doherty simetris/asimetris.
Fitur Utama
  • Performa RF: Beroperasi pada 1805–2025MHz, menghasilkan daya output tipikal 160W dengan penguatan tipikal ≥15dB, tegangan drain 65V (tegangan uji 28V), mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD, ideal untuk persyaratan linearitas ketat stasiun pangkalan 4G/5G.
  • Struktur & Paket: Konfigurasi sumber umum transistor ganda, paket pemasangan dasar SOT1275-1 (DFM-6) dengan kinerja termal yang sangat baik untuk desain kepadatan daya tinggi; jaringan pencocokan masukan terintegrasi menyederhanakan sirkuit eksternal.
  • Keandalan & Perlindungan: Perlindungan ESD bawaan, tahan terhadap suhu persimpangan tinggi dan ketidaksesuaian beban, pin decoupling meningkatkan kinerja bandwidth video, stabilitas termal yang sangat baik, sesuai RoHS.
  • Kompatibilitas Desain: Mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, kompatibel dengan sirkuit Doherty simetris/asimetris, cocok untuk amplifier tahap akhir stasiun pangkalan pita 1.8GHz/2.1GHz.
Aplikasi Khas
  • Amplifier tahap akhir RF stasiun pangkalan 4G/5G (pita 1805–2025MHz)
  • Modul amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk sistem komunikasi multi-operator
  • Infrastruktur komunikasi nirkabel pita 1.8GHz/2.0GHz
  • Pemancar TV dan aplikasi RF industri
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim