BLC8G21LS-160AVZ adalah transistor daya RF LDMOS saluran N ganda yang didasarkan pada teknologi LDMOS Gen8 Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun induk 4G/5G 1805–2025MHz (1,8–2,025GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan amplifier daya Doherty efisiensi tinggi. Bertempat di paket SOT1275-1 (DFM-6/7-pin base mount), ia memiliki fitur daya tinggi, gain tinggi, linearitas tinggi, dan keandalan tinggi, kompatibel dengan arsitektur Doherty simetris/asimetris.
Fitur Utama
- Performa RF: Beroperasi pada 1805–2025MHz, menghasilkan daya output tipikal 160W dengan penguatan tipikal ≥15dB, tegangan drain 65V (tegangan uji 28V), mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD, ideal untuk persyaratan linearitas ketat stasiun pangkalan 4G/5G.
- Struktur & Paket: Konfigurasi sumber umum transistor ganda, paket pemasangan dasar SOT1275-1 (DFM-6) dengan kinerja termal yang sangat baik untuk desain kepadatan daya tinggi; jaringan pencocokan masukan terintegrasi menyederhanakan sirkuit eksternal.
- Keandalan & Perlindungan: Perlindungan ESD bawaan, tahan terhadap suhu persimpangan tinggi dan ketidaksesuaian beban, pin decoupling meningkatkan kinerja bandwidth video, stabilitas termal yang sangat baik, sesuai RoHS.
- Kompatibilitas Desain: Mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, kompatibel dengan sirkuit Doherty simetris/asimetris, cocok untuk amplifier tahap akhir stasiun pangkalan pita 1.8GHz/2.1GHz.
Aplikasi Khas
- Amplifier tahap akhir RF stasiun pangkalan 4G/5G (pita 1805–2025MHz)
- Modul amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk sistem komunikasi multi-operator
- Infrastruktur komunikasi nirkabel pita 1.8GHz/2.0GHz
- Pemancar TV dan aplikasi RF industri