B10G3741N55DZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: B10G3741N55D B10G3741N55DZ

Merek: Ampeon

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

B10G3741N55D LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi

Model: B10G3741N55D

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Amplifier Daya RF Doherty MMIC Doherty Asimetris 3 tahap LDMOS 50V Generasi ke-10, dioptimalkan untuk pita 3,7–4,1GHz (mencakup pita inti frekuensi tinggi 5G NR n77), aplikasi sel kecil dan MIMO masif, mencapai keseimbangan sempurna antara daya tinggi, efisiensi, dan linearitas dengan teknologi GEN10 LDMOS yang canggih, dilengkapi pembagi masukan terintegrasi, penggabung keluaran, dan jaringan pra-pencocokan untuk desain RF yang disederhanakan

B10G3741N55DZ adalah LDMOS MOSFET RF

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	3700 MHz ~ 4100 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band, suitable for 3.7-4.1GHz 5G deployment)
Output Power at 3dB Compression	47.4dBm (55W CW, at 50V supply, 3900MHz, pulsed CW measurement)
Typical Power Gain	33.5 dB (at 50V supply, 47dBm output, 3900MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	37.0% (at PL=7.9W/39dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3900MHz)
Saturated Drain Efficiency	42% (at PL=PL(3dB), 3900MHz)
Supply Voltage	48V/50V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Quiescent Current	120 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)
Package Type	PQFN-7x7-20, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input, 30Ω output pre-matched, simplifying RF PCB design and reducing external components
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.2 K/W (typical value, at PL=55W)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 50V supply, 3700MHz, CW signal), improving system robustness
Gain Flatness	Only 2.8dB within 3700-4100MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih GEN10 LDMOS generasi ke-10 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 55W dan efisiensi tinggi 37,0%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G (PAR=7,2dB), memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk sel kecil dan sistem MIMO masif.
Arsitektur Doherty asimetris terintegrasi penuh 3 tahap yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -35dBc setelah DPD, memenuhi spesifikasi linearitas 5G NR yang ketat dan mendukung aplikasi agregasi multi-carrier (CA).
Desain terintegrasi penuh (splitter, penggabung, jaringan pra-pencocokan, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF, mengurangi jumlah komponen eksternal, mempercepat waktu pemasaran sel kecil dan menurunkan biaya sistem dan penggunaan ruang.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mendukung penyesuaian daya dinamis dan meningkatkan efisiensi energi sistem.
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks, mengurangi biaya pemeliharaan stasiun pangkalan, dan memperpanjang masa pakai peralatan.
Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 2,8dB dalam pita 3700-4100MHz), cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal dan meningkatkan keandalan sistem dan fleksibilitas desain.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM 1000V, HBM 2000V) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis, meningkatkan hasil produksi, dan beradaptasi dengan manufaktur otomatis skala besar.
Paket PQFN yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 3,2 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi, beradaptasi dengan persyaratan pendinginan ruang kompak sel kecil, dan memperpanjang masa pakai perangkat.
Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra-lebar, cocok untuk sistem sel kecil generasi mendatang yang mendukung sinyal pita lebar, memenuhi kebutuhan evolusi jaringan 5G di masa depan (misalnya, 5G-Advanced) dan melindungi investasi pelanggan.
Sesuai dengan RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global, berkontribusi terhadap pengembangan komunikasi ramah lingkungan dan mengurangi jejak karbon.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n77 band (3,7-4,1GHz), mendukung persyaratan daya tinggi dan linearitas tinggi, cocok untuk skenario cakupan perkotaan dan pinggiran kota.
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO (mMIMO) yang masif, mendukung kepadatan daya tinggi dan persyaratan efisiensi tinggi, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan beradaptasi dengan desain susunan multi-antena.
Penguat daya tahap akhir untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), memenuhi persyaratan sinyal ultra-broadband, meningkatkan kapasitas sistem, dan mendukung aplikasi bandwidth tinggi seperti video HD dan cloud gaming.
Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan 4G LTE yang berevolusi, sesuai untuk penerapan pita 3,7-4,1GHz, meningkatkan jangkauan dan kapasitas jaringan, mendukung kelancaran transisi ke jaringan 5G.
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), yang memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi, mendukung penerapan lingkungan tingkat industri seperti manufaktur pintar dan jaringan pintar.
Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mengurangi biaya pengembangan peralatan, mempercepat waktu pemasaran dan beradaptasi dengan kebutuhan koeksistensi jaringan multi-standar operator.
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi, membantu operator menyebarkan jaringan 5G dengan cepat, meningkatkan pengalaman pengguna, dan memenuhi kebutuhan pengembangan ekonomi digital.

Produk panas