BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3 Tahap Doherty MMIC terintegrasi

BLM9D3538-12AMZ LDMOS 3 Tahap Doherty MMIC terintegrasi

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM9D3538-12AMZ BLM9D3538-12AM

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Model: BLM9D3538-12AMz (BLM9D3538-12AMZ)

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: GEN9 LDMOS 3 tahap Penguat Daya RF Doherty MMIC Asimetris Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,4–3,8GHz (mencakup pita inti 5G NR n78 dan pita arus utama 4G TDD-LTE 3,5GHz) sel kecil dan aplikasi MIMO masif, mencapai keseimbangan sempurna antara daya tinggi, efisiensi, dan linearitas dengan teknologi GEN9 LDMOS yang canggih, dilengkapi pembagi masukan terintegrasi, penggabung keluaran, dan 50Ω jaringan pra-pencocokan untuk alur kerja desain RF yang disederhanakan

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)
Output Power at 1dB Compression	40.8dBm (12W CW, at 28V supply, 3600MHz, CW measurement)
Typical Power Gain	32.0 dB (at 28V supply, 40dBm output, 3600MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	30.0% (at PL=3.98W/36dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency	38% (at PL=PL(1dB), 3600MHz)
Supply Voltage	28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	80 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V), supporting flexible bias optimization
Package Type	LGA-7x7-20 (PQFN-7x7-20), 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals, excellent thermal performance design
Port Characteristics	Internally pre-matched to 50Ω input/output, no external matching components required, simplifying RF PCB design and reducing BOM cost
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages, fully integrated design reduces system complexity
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 4.5 K/W (typical value, at PL=12W), efficient heat dissipation ensures long-term stable operation
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=6:1 through all phases (at 28V supply, 3400MHz, CW signal), improving system robustness in complex environments
Gain Flatness	Only 2.5dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems, reducing the need for external equalization circuits
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability during production and application, reducing the risk of electrostatic damage
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band without self-oscillation risk

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih GEN9 LDMOS generasi ke-9 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 12W dan efisiensi tinggi 30,0%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G (PAR=7,2dB), memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk sel kecil dan sistem MIMO besar.
Arsitektur Doherty asimetris terintegrasi penuh 3 tahap yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -35dBc setelah DPD, memenuhi spesifikasi linearitas 5G NR yang ketat dan mendukung aplikasi agregasi multi-carrier (CA) untuk meningkatkan kapasitas sistem.
Desain terintegrasi penuh (splitter, penggabung, jaringan pra-pencocokan 50Ω, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF, mengurangi jumlah komponen eksternal, mempercepat waktu pemasaran sel kecil, menurunkan biaya sistem dan penggunaan ruang, dan meningkatkan daya saing produk.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mendukung penyesuaian daya dinamis, meningkatkan efisiensi energi sistem, dan mengurangi biaya pengoperasian.
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=6:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks, mengurangi biaya pemeliharaan stasiun pangkalan, memperpanjang masa pakai peralatan, dan cocok untuk penerapan di lingkungan luar ruangan yang keras.
Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 2,5dB dalam pita 3400-3800MHz), cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal, meningkatkan keandalan sistem dan fleksibilitas desain, dan menyederhanakan alur kerja desain front-end RF.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM 1000V, HBM 2000V) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis, meningkatkan hasil produksi, beradaptasi dengan manufaktur otomatis skala besar, dan menurunkan biaya produksi.
Paket LGA yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 4,5 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi, beradaptasi dengan persyaratan pendinginan ruang kompak sel kecil, memperpanjang masa pakai perangkat, dan meningkatkan stabilitas sistem.
Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra-lebar, cocok untuk sistem sel kecil generasi mendatang yang mendukung sinyal pita lebar, memenuhi kebutuhan evolusi jaringan 5G di masa depan (misalnya, 5G-Advanced), melindungi investasi pelanggan, dan memperluas siklus hidup produk.
Sesuai dengan RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global, berkontribusi terhadap pengembangan komunikasi ramah lingkungan, mengurangi jejak karbon, dan memenuhi persyaratan pembangunan berkelanjutan.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n78 band (3,4-3,8GHz), mendukung persyaratan daya tinggi dan linearitas tinggi, cocok untuk skenario jangkauan perkotaan dan pinggiran kota, meningkatkan kualitas jangkauan jaringan.
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO (mMIMO) masif, mendukung kepadatan daya tinggi dan persyaratan efisiensi tinggi, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan, beradaptasi dengan desain susunan multi-antena, dan meningkatkan kapasitas sistem dan efisiensi spektral.
Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan pita 4G TDD-LTE 3,5GHz, meningkatkan cakupan dan kapasitas jaringan, mendukung kelancaran transisi ke jaringan 5G, melindungi investasi operator yang ada, dan memungkinkan evolusi jaringan.
Penguat daya tahap akhir untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), memenuhi kebutuhan sinyal ultra-broadband, meningkatkan kapasitas sistem, mendukung aplikasi bandwidth tinggi seperti video HD dan cloud gaming, serta memenuhi kebutuhan data pengguna yang terus meningkat.
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), yang memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi, mendukung penerapan lingkungan tingkat industri seperti manufaktur pintar, jaringan pintar, dan transportasi cerdas.
Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mengurangi biaya pengembangan peralatan, mempercepat waktu pemasaran, beradaptasi dengan kebutuhan koeksistensi jaringan multi-standar operator, dan meningkatkan keserbagunaan peralatan.
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi, membantu operator menyebarkan jaringan 5G dengan cepat, meningkatkan pengalaman pengguna, memenuhi kebutuhan pengembangan ekonomi digital, dan mendorong transformasi digital sosial.

Produk panas