Transistor MOSFET RF BLM10D3438-35ABZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM10D3438-35ABZ BLM10D3438-35AB

Merek: Ampeon

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Model: BLM10D3438-35ABZ

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: Penguat Daya RF Doherty MMIC Doherty Asimetris 3 tahap LDMOS 3 tahap yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro pita 3,4–3,8GHz (mencakup pita inti 5G NR n78 dan pita arus utama 4G TDD-LTE 3,5GHz) stasiun pangkalan makro dan aplikasi MIMO masif, mencapai keseimbangan luar biasa antara daya keluaran tinggi 35W, efisiensi dan linearitas dengan teknologi LDMOS canggih, dilengkapi pembagi masukan terintegrasi, penggabung keluaran, dan jaringan pra-pencocokan untuk penyederhanaan Desain ujung depan RF

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)
Output Power at 1dB Compression	45.4dBm (35W CW, at 28V supply, 3600MHz, pulsed CW measurement, δ=10%, tp=100μs)
Typical Power Gain	33.4 dB (at 28V supply, 3600MHz, pulsed CW signal), 33 dB (at 26V supply, 37dBm output, 3600MHz, 1-carrier LTE signal)
Typical Drain Efficiency	41% (at PL=37dBm/5W, 1-carrier LTE signal, PAR=7.6dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency	47% (at PL=PL(3dB), 3600MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	41-42 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V), supporting flexible bias optimization
Package Type	SOT1462-1 (PQFN-8x8-20), 8×8mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals, excellent thermal performance design
Port Characteristics	Internally pre-matched to 50Ω input and 30Ω output, simplifying RF PCB design and reducing external component count
Architecture	3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages, fully integrated design reduces system complexity
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 3.2 K/W (typical value, at PL=5W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.6dB)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 3800MHz, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB), industry-leading robustness design
Gain Flatness	Only 0.9dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems, reducing the need for external equalization circuits
Video Bandwidth	400MHz (at 34.0dBm output power, 2-tone CW signal, IMD3=-25dBc, 3600MHz), supporting ultra-wideband signal transmission, suitable for 5G-Advanced applications
ESD Protection	CDM Class C2A (500V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability during production and application, reducing the risk of electrostatic damage
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.1GHz to 6.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band without self-oscillation risk

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses LDMOS canggih Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya keluaran ultra-tinggi 35W dan efisiensi tinggi 41%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G (PAR=7,6dB), memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk stasiun pangkalan makro dan sistem MIMO masif.
Arsitektur Doherty asimetris terintegrasi penuh 3 tahap yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -30dBc setelah DPD, memenuhi spesifikasi linearitas 5G NR yang ketat dan mendukung aplikasi agregasi multi-carrier (CA) untuk meningkatkan kapasitas sistem.
Desain terintegrasi penuh (pembagi, penggabung, jaringan pra-pencocokan, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF, mengurangi jumlah komponen eksternal, mempercepat waktu stasiun pangkalan ke pasar, menurunkan biaya sistem dan penggunaan ruang, dan meningkatkan daya saing produk.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mendukung penyesuaian daya dinamis, meningkatkan efisiensi energi sistem, dan mengurangi biaya pengoperasian.
Toleransi ketidaksesuaian beban yang terdepan di industri, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks, mengurangi biaya pemeliharaan stasiun pangkalan, memperpanjang masa pakai peralatan, dan cocok untuk penerapan di lingkungan luar ruangan yang keras.
Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 0,9dB dalam pita 3400-3800MHz) dan bandwidth video ultra lebar 400MHz, cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal, meningkatkan keandalan sistem dan fleksibilitas desain, dan menyederhanakan alur kerja desain front-end RF.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM 500V, HBM 500V) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatik, meningkatkan hasil produksi, beradaptasi dengan manufaktur otomatis skala besar, dan menurunkan biaya produksi.
Paket PQFN yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 3,2 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi, beradaptasi dengan stasiun pangkalan makro dan persyaratan pendinginan ruang kompak MIMO yang besar, memperpanjang masa pakai perangkat dan meningkatkan stabilitas sistem.
Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra-lebar, cocok untuk sistem stasiun pangkalan generasi mendatang yang mendukung sinyal pita lebar, memenuhi kebutuhan evolusi jaringan 5G di masa depan (misalnya, 5G-Advanced), melindungi investasi pelanggan, dan memperpanjang siklus hidup produk.
Sesuai dengan RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global, berkontribusi terhadap pengembangan komunikasi ramah lingkungan, mengurangi jejak karbon, dan memenuhi persyaratan pembangunan berkelanjutan.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan makro 5G NR n78 band (3,4-3,8GHz), mendukung persyaratan daya tinggi dan linearitas tinggi, cocok untuk skenario cakupan luas perkotaan dan pinggiran kota, meningkatkan kualitas dan kapasitas jangkauan jaringan.
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan MIMO (mMIMO) yang masif, mendukung kepadatan daya tinggi dan persyaratan efisiensi tinggi, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan, beradaptasi dengan desain susunan multi-antena, dan meningkatkan kapasitas sistem dan efisiensi spektral untuk memenuhi persyaratan kecepatan data jaringan 5G yang tinggi.
Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan pita 4G TDD-LTE 3,5GHz, meningkatkan cakupan dan kapasitas jaringan, mendukung kelancaran transisi ke jaringan 5G, melindungi investasi operator yang ada, dan memungkinkan evolusi jaringan.
Penguat daya tahap akhir untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), memenuhi kebutuhan sinyal ultra-broadband, meningkatkan kapasitas sistem, mendukung aplikasi bandwidth tinggi seperti video HD, cloud gaming, VR/AR, dan memenuhi kebutuhan data pengguna yang terus meningkat.
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), yang memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi, mendukung penerapan lingkungan tingkat industri seperti manufaktur pintar, jaringan pintar, dan transportasi cerdas.
Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mengurangi biaya pengembangan peralatan, mempercepat waktu pemasaran, beradaptasi dengan kebutuhan koeksistensi jaringan multi-standar operator, dan meningkatkan keserbagunaan peralatan.
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi, membantu operator menyebarkan jaringan 5G dengan cepat, meningkatkan pengalaman pengguna, memenuhi kebutuhan pengembangan ekonomi digital, dan mendorong transformasi digital sosial.

Produk panas