Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLC10G22XS-602AVT

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
LDMOS DAYA VHF
BLC10G22XS-602AVT adalah transistor daya RF LDMOS generasi ke-10 yang diproduksi oleh Ampleon (Belanda), dioptimalkan untuk aplikasi multi-carrier stasiun pangkalan makro 4G LTE dan 5G NR pada pita 2110–2170 MHz (2,1 GHz). Ini memberikan daya tinggi, efisiensi tinggi, gain tinggi, dan kompatibilitas Doherty yang sangat baik.
Spesifikasi Utama
  • Pabrikan: Ampleon (Belanda)
  • Nomor Bagian: BLC10G22XS-602AVT
  • Rentang Frekuensi: 2110–2170 MHz
  • Daya Keluaran Puncak (PPEAK): 600 W @ 30 V
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS): 30 V
  • Penguatan Daya (Gp): 15,4 dB (khas)
  • Efisiensi Pembuangan (ηD): 47,5% (khas)
  • Paket: SOT1258-4 (Keramik Rongga Udara, ACP)
  • Teknologi: LDMOS generasi ke-10 (Silikon)
  • Aplikasi: penguat daya akhir (PA) stasiun pangkalan makro pita 2,1 GHz
  • Status: Sedang diproduksi
Fitur
  1. Kepadatan Daya Tinggi: Daya puncak 600 W pada 30 V, memungkinkan desain makro PA 5G output tinggi.
  2. Efisiensi Tinggi: Efisiensi pembuangan tipikal sebesar 47,5% mengurangi konsumsi daya dan beban termal.
  3. Penguatan Tinggi: Penguatan 15,4 dB menyederhanakan susunan PA dan mengurangi tahapan pengemudi.
  4. Dioptimalkan Doherty: Kapasitansi keluaran rendah meningkatkan efisiensi dalam konfigurasi penguat Doherty.
  5. Kekasaran Tinggi: Tahan ketidakcocokan VSWR 10:1 untuk pengoperasian yang andal di lingkungan yang keras.
  6. Resistensi Termal Rendah: Paket ACP memberikan pembuangan panas dan stabilitas termal yang unggul.
  7. Efek Memori Rendah: Kinerja pra-distorsi digital (DPD) yang sangat baik untuk sinyal termodulasi yang kompleks.
  8. Pencocokan Internal + Perlindungan ESD: Menyederhanakan desain dan meningkatkan ketahanan ESD.
  9. Sesuai RoHS: Ramah lingkungan, sesuai dengan arahan RoHS UE.
Aplikasi
  • Stasiun Pangkalan Makro 4G LTE & 5G NR: Tahap penguat daya akhir untuk sistem komunikasi nirkabel pita 2,1 GHz.
  • Infrastruktur Nirkabel: Amplifikasi RF berdaya tinggi untuk jangkauan jaringan seluler dan perluasan kapasitas.
  • Doherty Amplifier: Ideal untuk arsitektur Doherty PA dengan efisiensi tinggi di stasiun pangkalan modern.
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim