BLC10G19XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLC10G19XS-600AVT BLC10G19XS-600AVTZ BLC10G19XS-600AVTY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

LDMOS Daya HF/VHF

BLC10G19XS-600AVT adalah transistor daya Doherty asimetris LDMOS generasi ke-10 dari Ampleon, yang beroperasi pada 1930～1995 MHz. Dioptimalkan untuk base station makro 4G/5G dan amplifier daya akhir mMIMO, produk ini menghasilkan daya ultra-tinggi 600W, efisiensi tinggi, dan linearitas luar biasa. Akhiran “T” menunjukkan kemasan standar bebas timah yang sesuai dengan RoHS, ideal untuk amplifikasi RF stasiun pangkalan berdaya tinggi.

Ini mengintegrasikan topologi Doherty asimetris (jalur pembawa + peaking) dengan pra-pencocokan internal, menampilkan kepadatan daya tinggi, efek memori rendah, dan stabilitas termal yang unggul, menyederhanakan sirkuit periferal untuk PA stasiun pangkalan berdaya tinggi yang ringkas.

Spesifikasi Utama

Pabrikan: Ampeon
Nomor Bagian: BLC10G19XS-600AVT
Rentang Frekuensi: 1930～1995 MHz (kompatibel dengan 5G NR n1/n3, kompatibel dengan LTE Band1)
Daya Output Jenuh Khas: 600 W (perangkat tunggal)
Penguatan Daya: tipikal 15,5 dB (suplai 30 V)
Efisiensi Pengurasan: 50% tipikal (mode Doherty)
Tegangan Pasokan: 30 V (disarankan 28–32 V)
Arus Diam: 1060 mA (jalur utama)
Paket: SOT1258-4 (plastik rongga udara, desain termal berdaya tinggi)
Teknologi: LDMOS silikon generasi ke-10 (LDMOS GEN10)
Status: Dalam produksi (sesuai RoHS)

Fitur

Teknologi LDMOS generasi ke-10, daya ultra-tinggi 600W dengan jalur operator/puncak yang dioptimalkan untuk pengoperasian Doherty asimetris
Cakupan pita lebar 1,93G～1,995G, mendukung multi-standar LTE/5G NR untuk stasiun pangkalan makro
Linearitas luar biasa, efek memori rendah, DPD siap untuk linearisasi optimal, dan ACPR superior
Pra-pencocokan input/output terintegrasi, kompatibel dengan 50Ω, BOM minimal, tanpa penyetelan rumit
Ketahanan termal rendah, stabilitas termal luar biasa, ketangguhan VSWR 10:1 untuk keandalan tinggi
Perlindungan ESD terintegrasi, sesuai RoHS, suhu pengoperasian: -40℃～+125℃

Aplikasi

Pemancar makro 4G/5G dan amplifier berdaya tinggi akhir mMIMO
Amplifikasi RF berdaya tinggi untuk infrastruktur nirkabel 1,93–1,995 GHz
Modul amplifier Doherty efisiensi tinggi, pemancar RF berdaya tinggi yang ringkas
Tahapan driver daya tinggi stasiun pangkalan (pra-amplifikasi untuk transistor akhir)

Produk panas