Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLC10G19XS-551AV BLC10G19XS-551AVY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
LDMOS Daya HF/VHF
BLC10G19XS-551AV adalah transistor daya LDMOS RF berbasis silikon generasi ke-10 yang diproduksi oleh Ampleon (Belanda), dioptimalkan untuk amplifier daya Doherty asimetris di stasiun pangkalan makro 4G LTE dan 5G NR yang beroperasi pada 1930–2000 MHz (pita 1,9 GHz). Ini fitur daya tinggi, efisiensi tinggi, dan ketangguhan tinggi.
Spesifikasi Utama
  • Pabrikan: Ampleon (Belanda)
  • Nomor Bagian: BLC10G19XS-551AV
  • Rentang Frekuensi: 1930–2000 MHz
  • Daya Output Puncak (P3dB): 570 W @ 30 V
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS): 30 V
  • Penguatan Daya (Gp): 15 dB (khas)
  • Efisiensi Pembuangan (ηD): 50,5% (khas, Doherty)
  • Paket: SOT1258-5 (Keramik Rongga Udara, ACP)
  • Teknologi: LDMOS generasi ke-10 (Silikon)
  • Aplikasi: amplifier daya akhir stasiun pangkalan makro pita 1.9 GHz
  • Status: Tidak Direkomendasikan untuk Desain Baru (NRND)
Fitur
  1. Kepadatan Daya Tinggi: Daya puncak 570 W pada 30 V untuk desain makro PA 5G output tinggi.
  2. Efisiensi Tinggi: Efisiensi pembuangan tipikal sebesar 50,5% dalam pengoperasian Doherty mengurangi konsumsi daya dan beban termal.
  3. Penguatan Tinggi: Penguatan 15 dB menyederhanakan susunan PA dan mengurangi tahapan pengemudi.
  4. Dioptimalkan Doherty: Kapasitansi keluaran rendah meningkatkan kinerja dalam konfigurasi Doherty asimetris.
  5. Kekasaran Tinggi: Tahan ketidakcocokan VSWR 10:1 untuk pengoperasian yang andal di lingkungan yang keras.
  6. Resistensi Termal Rendah: Paket ACP memberikan pembuangan panas dan stabilitas termal yang unggul.
  7. Efek Memori Rendah: Kemampuan pra-distorsi digital (DPD) yang sangat baik untuk sinyal termodulasi yang kompleks.
  8. Pencocokan Internal + Perlindungan ESD: Menyederhanakan desain dan meningkatkan ketahanan ESD.
  9. Sesuai RoHS: Ramah lingkungan, sesuai dengan arahan RoHS UE.
Aplikasi
  • Stasiun Pangkalan Makro 4G LTE & 5G NR: Tahap penguat daya akhir untuk sistem komunikasi nirkabel pita 1,9 GHz.
  • Infrastruktur Nirkabel: Amplifikasi RF berdaya tinggi untuk jangkauan jaringan seluler dan perluasan kapasitas.
  • Amplifier Doherty: Ideal untuk arsitektur Doherty PA asimetris efisiensi tinggi di stasiun pangkalan modern。
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim