Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E
Transistor MOSFET RF BLF989E

Transistor MOSFET RF BLF989E

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLF989E

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
BLF989E adalah transistor RF LDMOS daya puncak 1000 W yang diproduksi oleh Ampleon, mengadopsi teknologi proses LDMOS tegangan tinggi (50V) generasi ke-9. Ini dirancang khusus untuk aplikasi pemancar Doherty siaran asimetris 400–860 MHz (pita UHF), yang mampu menghasilkan daya rata-rata DVB-T 180 W. Ditempatkan dalam paket keramik berflensa berkinerja tinggi (SOT-539A/CDFM5), produk ini memiliki ketangguhan dan kinerja broadband yang luar biasa, menjadikannya ideal untuk pengoperasian pemancar TV UHF generasi berikutnya secara efisien.

Fitur Utama

  • Daya & Efisiensi Ultra Tinggi: Daya output puncak lebih dari 1000 W, daya rata-rata DVB-T 180 W (470-620 MHz), penguatan daya 17 dB, dan efisiensi pengurasan 50%, meningkatkan efisiensi energi pemancar secara signifikan.
  • Optimasi Doherty Asimetris: Dirancang khusus untuk amplifier Doherty asimetris, mendukung konfigurasi Ultra-Wideband Doherty (UWD), yang dapat mengurangi ukuran amplifier TV digital sebesar 20%.
  • Ketangguhan Luar Biasa: Tahan ketidaksesuaian beban VSWR pita penuh 20:1 pada tegangan suplai 50 V, menampilkan ketahanan guncangan yang luar biasa untuk kondisi pengoperasian yang keras.
  • Keandalan Tingkat Industri: Tegangan sumber pembuangan maksimum 104 V, toleransi suhu sambungan hingga 200°C, dan ketahanan termal rendah (sambungan ke casing) sebesar 0,17 K/W, cocok untuk pengoperasian berkelanjutan jangka panjang.
  • Rentang Frekuensi Lebar: Mencakup seluruh pita UHF 400–860 MHz, dapat disesuaikan dengan aplikasi frekuensi berbeda tanpa penyesuaian, sehingga menyederhanakan desain sistem.
  • Desain Paket Standar: Paket keramik bergelang (SOT-539A/CDFM5) dengan konfigurasi 4-pin, memudahkan pemasangan dan manajemen termal.

Aplikasi Khas

  • Amplifikasi daya tahap akhir untuk pemancar siaran TV digital UHF (DVB-T/T2, ATSC 3.0)
  • Perangkat inti dalam sistem penguat daya Doherty siaran asimetris
  • Amplifikasi daya untuk peralatan pemanas, pengeringan, dan pembangkit plasma RF industri
  • Tahap amplifikasi daya tinggi di stasiun pangkalan dan repeater komunikasi profesional
  • Sumber sinyal berdaya tinggi untuk instrumen uji RF

Spesifikasi

Parameter Value Notes
Frequency Range 400–860 MHz UHF band
Peak Output Power >1000 W Typical value
DVB-T Average Output Power 180 W 470-620 MHz, VDS=50 V
Power Gain 17 dB (470-620 MHz)/15 dB (470-700 MHz) DVB-T signal
Drain Efficiency 50% (470-620 MHz)/48% (470-700 MHz) DVB-T signal
Supply Voltage 50 V (DC) Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage 104 V Absolute maximum rating
Package SOT-539A (flanged ceramic/CDFM5) 4-pin design
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.17 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 200°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 20:1 Full frequency band
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> Transistor MOSFET RF BLF989E
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim