Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF

ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: ART1K9FH ART1K9FHU

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
ART1K9FHU adalah transistor RF LDMOS daya puncak 1900 W yang diproduksi oleh Ampleon berdasarkan Advanced Rugged Technology (ART). Ini dirancang khusus untuk ISM 1 MHz–500 MHz (frekuensi rendah hingga pita VHF), aplikasi penyiaran dan komunikasi, ditempatkan dalam paket keramik bergelang berkinerja tinggi (SOT-539A/CDFM5). Dilengkapi toleransi ketidaksesuaian beban VSWR pita penuh 65:1, ideal untuk pemanas industri, transmisi siaran, dan sistem komunikasi profesional.

Fitur Utama

  • Daya & Efisiensi Ultra Tinggi: Daya output puncak 1900 W (225 MHz, pulsed) pada suplai 55 V, 1700 W (108 MHz, pulsed) pada suplai 50 V, penguatan daya sebesar 24,6 dB, dan efisiensi pengurasan hingga 75%, meningkatkan efisiensi energi sistem secara signifikan.
  • Ketangguhan Luar Biasa: Tahan ketidaksesuaian beban VSWR pita penuh 65:1 pada tegangan suplai 50 V/55 V, menampilkan ketahanan guncangan yang luar biasa untuk kondisi pengoperasian yang keras tanpa sirkuit perlindungan tambahan.
  • Tegangan Kerusakan Tinggi: Tegangan sumber pembuangan maksimum 177 V, mendukung desain penguat daya 48 V Kelas E dan 55 V Kelas AB dengan fleksibilitas aplikasi yang tinggi.
  • Perlindungan ESD Terintegrasi: Sirkuit perlindungan ESD dua sisi bawaan mendukung pengoperasian Kelas C dan mematikan transistor sepenuhnya, meningkatkan keandalan perangkat selama produksi, pemasangan, dan pengoperasian.
  • Keandalan Tingkat Industri: Toleransi suhu sambungan hingga 225°C, dan ketahanan termal rendah (sambungan ke casing) sebesar 0,071 K/W, cocok untuk pengoperasian berkelanjutan jangka panjang.
  • Rentang Frekuensi Lebar: Mencakup pita 1 MHz–500 MHz, dapat disesuaikan dengan aplikasi frekuensi berbeda tanpa penyesuaian, sehingga menyederhanakan desain sistem.
  • Desain Paket Seimbang: Paket seimbang SOT-539A (keramik bergelang/CDFM5) dengan konfigurasi 5-pin (2 saluran pembuangan, 2 gerbang, 1 sumber), memfasilitasi kemudahan pemasangan dan manajemen termal.

Aplikasi Khas

  • Aplikasi Industri, Ilmiah dan Medis (ISM): Generator plasma, sistem MRI, laser CO₂, akselerator partikel, peralatan pemanas RF
  • Aplikasi siaran: Amplifikasi daya tahap akhir untuk pemancar siaran radio FM, pemancar TV VHF
  • Aplikasi komunikasi: Sistem komunikasi non-seluler, radar UHF, tahap amplifikasi daya tinggi di stasiun pangkalan dan repeater komunikasi profesional
  • Dirgantara dan pertahanan: Sistem navigasi, radio penyelamat, peralatan komunikasi militer
  • Instrumen uji RF: Sumber sinyal berdaya tinggi, peralatan uji RF

Spesifikasi

Parameter Value Notes
Frequency Range 1 MHz–500 MHz Low frequency to VHF band
Peak Output Power 1900 W (typical) 225 MHz, VDS=55 V, pulsed (tp=100 μs, δ=10%)
  1700 W (typical) 108 MHz, VDS=50 V, pulsed (tp=100 μs, δ=20%)
Power Gain 24.6 dB (typical) 225 MHz, PL=1900 W, VDS=55 V
  27.7 dB (typical) 108 MHz, PL=1700 W, VDS=50 V
Drain Efficiency 72.5% (typical) 225 MHz, PL=1900 W, VDS=55 V
  74.7% (typical) 108 MHz, PL=1700 W, VDS=50 V
Supply Voltage 30 V–55 V Supports wide voltage range applications, rated at 50 V/55 V
Maximum Drain-Source Voltage 177 V Absolute maximum rating
Package SOT-539A (flanged ceramic/CDFM5) 5-pin balanced design (2 drains, 2 gates, 1 source)
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.071 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 225°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 65:1 Full frequency band, 50 V/55 V supply
ESD Protection Integrated dual-sided ESD protection Supports Class C operation and complete shutdown
Input Return Loss -19 dB (typical) 225 MHz, PL=1900 W
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> ART1K9FH ART1K9FHU daya puncak transistor LDMOS RF
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim