Transistor daya avionik LDMOS BLA9H0912L-250G

Transistor daya avionik LDMOS BLA9H0912L-250G

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLA9H0912L-250G BLA9H0912LS-250G

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

I. Ikhtisar Produk

BLA9H0912L-250G adalah transistor daya LDMOS RF berkinerja tinggi dari Ampleon. Dirancang khusus untuk pita frekuensi avionik 960MHz~1215MHz, produk ini menghasilkan daya keluaran khas 250W dengan efisiensi tinggi, ketangguhan luar biasa, dan stabilitas termal unggul. Dilengkapi perlindungan ESD dua sisi yang terintegrasi dan desain yang disesuaikan secara internal untuk kemudahan penerapan, produk ini ideal untuk sistem pemancar dan radar avionik yang menuntut.

II. Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Manufacturer	Ampleon
Transistor Type	LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)
Frequency Range	960MHz ~ 1215MHz (avionics band)
Typical Output Power	250W (275W Pₗ(1dB) at 1dB gain compression)
Typical Power Gain	22dB
Typical Drain Efficiency	60%
Input Return Loss	< -10dB
Pulse Droop	0.2dB ~ 0.5dB
Operating Voltage	Vds=50V (typical)
Package	SOT-502A ceramic package
Operating Temperature Range	-55°C ~ +150°C
Features	Integrated ESD protection, internally matched, high ruggedness, excellent thermal stability
Environmental Compliance	RoHS Compliant

AKU AKU AKU. Fitur & Keunggulan Produk

Performa RF Unggul: Pengoperasian broadband dari 960MHz hingga 1215MHz, output daya tinggi 250W, gain tinggi 22dB, dan efisiensi tinggi 60% secara signifikan meningkatkan kinerja sistem pemancar
Desain Keandalan Tinggi: Perlindungan ESD dua sisi terintegrasi memberikan isolasi luar kondisi yang sangat baik, melindungi perangkat dari kerusakan akibat pelepasan muatan listrik statis dan memperpanjang masa pakai.
Desain Aplikasi yang Disederhanakan: Jaringan yang cocok secara internal menghilangkan kebutuhan akan sirkuit pencocokan eksternal yang kompleks, mengurangi waktu pengembangan dan kompleksitas desain
Stabilitas Termal yang Sangat Baik: Proses LDMOS tingkat lanjut mempertahankan kinerja yang stabil bahkan di lingkungan bersuhu tinggi, cocok untuk pengoperasian daya tinggi jangka panjang
Kontrol Daya Fleksibel: Penyesuaian daya keluaran yang mudah melalui kontrol tegangan gerbang, dapat disesuaikan dengan kebutuhan format pulsa yang berbeda
Konstruksi Kuat: Paket keramik SOT-502A menawarkan ketahanan getaran dan guncangan yang sangat baik, ideal untuk aplikasi lingkungan yang keras seperti dirgantara