Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut

Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLP15M9S70Z

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Transistor LDMOS Daya BLP15M9S70Z
Deskripsi Produk
Nomor Bagian: Ampleon BLP15M9S70
Tipe Perangkat: Transistor Daya RF LDMOS saluran-N, teknologi generasi ke-9, suplai 32V, broadband (1MHz–2GHz), dioptimalkan untuk amplifier daya RF ISM/siaran/tujuan umum.
1. Spesifikasi Utama
  • Pabrikan: Ampeon
  • Teknologi: LDMOS Generasi ke-9
  • Paket: TO-270-2F-1 (SOT1483-1), pemasangan di permukaan, disipasi panas tinggi
  • Rentang Frekuensi: 1 MHz – 2000 MHz (2 GHz) (mencakup HF/VHF/UHF/ISM: 13,56MHz, 433MHz, 915MHz, 1400MHz)
  • Tegangan Pasokan: VDS = 32 V (khas), VDSmax = 40 V
  • Daya Output (CW, P3dB): 70 W @1400 MHz, 32 V, Kelas AB
  • Penguatan Daya: 17,6 dB (khas) @1400 MHz
  • Efisiensi Pengurasan: 70% (puncak) @1400 MHz
  • Impedansi: 50Ω (pra-cocok)
  • Arus Diam: Idq = 65 mA (khas)
  • Ketahanan Termal (sambungan ke casing): 0,8 K/W
  • Ketangguhan VSWR: 10:1 (semua fase, kekuatan penuh, tidak ada kerusakan)
  • Perlindungan: Perlindungan ESD dua sisi terintegrasi, sesuai RoHS, suhu pengoperasian: -65°C hingga +225°C
  • Akhiran: Z = pita & gulungan standar; XY = pita & gulungan
2. Fitur Utama
  1. Cakupan Ultra-Wideband: Cakupan perangkat tunggal 1MHz–2GHz, ideal untuk aplikasi ISM/siaran/RF umum multi-band, menyederhanakan desain dan mengurangi biaya.
  2. Efisiensi & Keuntungan Tinggi: efisiensi puncak 70% dan penguatan 17,6dB, menurunkan konsumsi daya sistem dan persyaratan pra-penggerak, mengurangi desain termal.
  3. Kekasaran Tinggi: Toleransi VSWR 10:1, perlindungan ESD dua sisi, pengoperasian suhu lebar, cocok untuk lingkungan industri/luar ruangan yang keras dengan keandalan tinggi.
  4. Kontrol Daya Mudah: Tegangan gerbang yang dapat disesuaikan, mendukung Kelas AB, Kelas C, mode pulsa, fleksibel untuk beragam kebutuhan daya.
  5. Paket Plastik Hemat Biaya: Paket pemasangan di permukaan TO-270, cocok untuk produksi massal otomatis dengan kinerja biaya tinggi.
3. Aplikasi Khas
  • ISM Industri/Ilmiah/Medis: Pemanasan industri 915MHz/1400MHz, pengeringan RF, amplifier daya peralatan fisioterapi medis.
  • Pemancar Siaran: Radio AM/FM, tahap final/driver pemancar TV digital DVB-T/T2.
  • Penguat RF Serba Guna: Pemancar broadband 1–2GHz, komunikasi titik-ke-titik, radio keselamatan swasta/publik, peralatan uji.
  • Gelombang Berkelanjutan (CW) / Penguat Pulsa: Stabilitas tinggi, skenario pengoperasian jangka panjang.
4. Rincian Penamaan Nomor Bagian
  • BLP: Kekuatan LDMOS Pita Lebar
  • 15: Kode Seri (32V, platform proses generasi ke-9)
  • M: Tegangan Menengah (peringkat 32V)
  • 9: Proses LDMOS Generasi ke-9
  • S: Tingkat Kinerja Standar
  • 70: 70 W Daya Keluaran Gelombang Berkelanjutan (P3dB)
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> Perangkat LDMOS BLP15M9S70Z Daya Tingkat Lanjut
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim