BLP9H10S-500AWT RF MOSFET LDMOS 300 MV OMP780

1. Spesifikasi Utama

• Pabrikan: Ampeon
• Teknologi: LDMOS Generasi ke-9
• Paket: OMP-780-6F-1 (plastik overmolded tanpa telinga bergelang, 6 timah, pembuangan panas tinggi)
• Rentang Frekuensi: 600 MHz – 960 MHz (mencakup 4G/5G: n5/n20/n28, Band 8/20/28)
• Tegangan Pasokan: VDS = 48 V (khas), VDSmax = 105 V
• Daya Keluaran (P3dB): 500 W @800 MHz, 48 V, 20 MHz LTE
• Penguatan Daya: 18,3 dB (khas) @800 MHz
• Efisiensi Pengurasan: 51% (umum) @800 MHz (mode Doherty)
• Impedansi: Pra-pencocokan pita lebar terintegrasi, kompatibel dengan sistem 50Ω
• Arus Diam: Idq = 125 mA (khas)
• Ketahanan Termal (sambungan ke casing): 0,45 K/W
• Ketangguhan VSWR: 10:1 (semua fase, kekuatan penuh, tidak ada kerusakan)
• Perlindungan: Perlindungan ESD dua sisi terintegrasi, efek memori rendah (ramah DPD), sesuai RoHS
• Akhiran: AWT = A (Asymmetric Doherty) + W (Wideband) + T (Tape & Reel)

2. Fitur Utama

1. Optimasi Doherty Asimetris: Transistor pembawa/puncak terintegrasi pada chip; desain asimetris meningkatkan efisiensi dan linearitas untuk sinyal PAR tinggi (9,9dB).
2. Efisiensi & Penguatan Tinggi: efisiensi tipikal 51% dan penguatan 18,3dB, mengurangi konsumsi daya sistem dan persyaratan pra-penggerak, sehingga memudahkan desain termal.
3. Cakupan Pita Lebar & Ramah DPD: Cakupan perangkat tunggal 600–960MHz, kapasitansi keluaran rendah, efek memori rendah, ideal untuk sinyal 5G NR multi-operator/pita lebar.
4. Ketangguhan Tinggi & Kinerja Termal: Toleransi VSWR 10:1, perlindungan ESD dua sisi, paket bergelang OMP (Rth=0,45K/W), cocok untuk pengoperasian stasiun pangkalan makro berdaya tinggi dan berdurasi panjang.
5. Integrasi Mudah: Pencocokan input/output pita lebar terintegrasi menyederhanakan sirkuit eksternal dan memperpendek siklus desain.

3. Aplikasi Khas

• Amplifier Tahap Akhir Stasiun Pangkalan Makro 4G/5G: Saluran transmisi RRU/AAU 600–960MHz (n5/n20/n28).
• Modul Daya RF Multi-Pembawa: amplifikasi sinyal LTE/NR pita lebar 20MHz/40MHz/80MHz.
• Sistem Penguat Doherty: Arsitektur asimetris untuk sinyal PAR tinggi, meningkatkan linearitas dan efisiensi sistem.
• Keamanan Publik / Pemancar Jaringan Pribadi: Peralatan transmisi VHF/UHF berdaya tinggi dan berstabilitas tinggi.

4. Rincian Penamaan Nomor Bagian

• BLP: Kekuatan LDMOS Pita Lebar
• 9: Proses LDMOS Generasi ke-9
• H: Perolehan Tinggi / Tingkat Efisiensi Tinggi
• Platform Kelas Tegangan 10: 48V
• S: Tingkat Kinerja Standar
• 500: 500 W Daya Output Gelombang Berkelanjutan (P3dB)
• AWT: A (Doherty Asimetris) + W (Pita Lebar) + T (Tape & Reel)