BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLC9H10XS-606AZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Nomor Bagian: BLC9H10XS-606A

Pabrikan: Ampeon

Jenis Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G.

Spesifikasi Utama

Rentang Frekuensi：616MHz ~ 960MHz
Tegangan Pasokan Khas：48 V, VDS Maks：105 V
Daya Keluaran：600W
Penguatan Daya：18 dB (Biasa)
Efisiensi Pengurasan：53,8% (mode Doherty)
Paket: SOT1250-4, paket flensa tanpa telinga 4-pin
Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus): 0,4 K/W
Kekasaran: Toleransi ketidaksesuaian beban VSWR penuh 10:1
Fitur: Efek memori rendah, kompatibel dengan DPD, perlindungan ESD bawaan, pencocokan internal 50 Ω

Fitur Utama

Mengadopsi arsitektur Doherty asimetris untuk menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas superior. Cakupan pita lebar mencakup pita seluler mainstream sub-1GHz, cocok untuk sinyal multi-operator PAR tinggi dan pita lebar 5G NR / LTE.

Paket flensa memberikan pembuangan panas yang sangat baik dan keandalan operasional yang tinggi. Jaringan pencocokan terintegrasi menyederhanakan desain sirkuit periferal dan mengurangi biaya pengembangan.

Aplikasi Khas

Penguat daya tahap akhir RRU & AAU stasiun pangkalan makro 4G / 5G, penguat Doherty pita lebar sub-1GHz, komunikasi jaringan pribadi, dan pemancar RF berdaya tinggi keselamatan publik.

Produk panas