BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

Spesifikasi Utama

• Rentang Frekuensi：616 MHz ~ 960 MHzAmpleon
• Tegangan Pasokan Khas：48 V,VDS Maks：105 V
• Daya Output：600 W (operator tunggal W‑CDMA)Ampleon
• Penguatan Daya：17,7 dB (Biasa)
• Efisiensi Pengurasan：53,9 % (Mode Doherty)
• Paket：Paket flensa tanpa telinga SOT1250‑2 (4 lead)Ampleon
• Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kotak): 0,42 K/W
• Ketangguhan：Kemampuan menahan kekuatan penuh VSWR 10:1
• Fitur: Efek memori rendah, kompatibel dengan DPD, perlindungan ESD bawaan, pencocokan input terintegrasi, linearitas tinggiAmpleon

Fitur Utama

• Arsitektur Doherty asimetris menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas yang sangat baikAmpleon.
• Cakupan pita lebar sub‑1GHz untuk sinyal multi-operator 5G NR dan 4G LTE high‑PARAmpleon.
• Paket flensa memastikan pembuangan panas yang unggul dan stabilitas jangka panjang; kuat terhadap ketidakcocokan bebanAmpleon.
• Pencocokan input terintegrasi mengurangi komponen eksternal dan menyederhanakan desain amplifierAmpleon.

Aplikasi Khas

• Amplifier daya tahap akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G AAU/RRU；
• Modul amplifier daya Doherty pita lebar sub‑1GHz；
• Jaringan nirkabel pribadi dan pemancar RF berdaya tinggi untuk keselamatan publikAmpleon.

Definisi Nomor Bagian

• BLC: Transistor LDMOS stasiun pangkalan yang dipasang di flensa
• 9：Proses LDMOS generasi ke-9
• H: Daya tinggi / tingkat efisiensi tinggi
• Platform frekuensi 10：616–960 MHz
• XS: Performa tinggi, efek memori rendah
• Peringkat daya 600：600 W
• J: Konfigurasi Doherty asimetris