Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Transistor LDMOS Daya

Model: BLC10G27XS-400AVT (Model Standar: BLC10G27XS-400AVTZ, Kemasan Tape & Reel)

Pabrikan: Ampeon

Tipe Produk: Transistor Daya RF Doherty Asimetris Paket LDMOS 28V Generasi ke-9 (Dioptimalkan untuk Aplikasi Multi-Pembawa Stasiun Pangkalan 2,496–2,69 GHz)

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	2496 MHz to 2690 MHz (2.496–2.69 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 46.0 dBm
Typical Power Gain	13.3 dB (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Drain Efficiency	50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 65 V
Quiescent Drain Current (IDq)	200 mA (Typical)
Package Type	SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 6-lead air cavity plastic earless flanged package, enhanced thermal dissipation
Special Features	Asymmetric Doherty architecture, integrated ESD protection, low output capacitance, integrated input/output impedance transformation, user-friendly PCB matching to 50-ohm
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

Fitur & Manfaat

Teknologi LDMOS Generasi ke-9: Memanfaatkan proses LDMOS 28V generasi ke-9 yang dihormati di industri dari Ampleon untuk menyeimbangkan daya dan efisiensi yang tinggi pada rentang frekuensi 2,496–2,69 GHz, ideal untuk aplikasi stasiun pangkalan multi-band 5G NR.
Arsitektur Doherty Asimetris: Dirancang khusus untuk aplikasi multi-operator stasiun pangkalan dengan pembagi masukan dan penggabung keluaran terintegrasi, mengoptimalkan kinerja broadband dan mengurangi kompleksitas desain sistem.
Kinerja Pra-Distorsi Digital (DPD) yang Luar Biasa: Dioptimalkan untuk sinyal 5G NR, memungkinkan linearitas superior setelah koreksi DPD untuk memenuhi persyaratan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang ketat untuk stasiun pangkalan.
Kepadatan Daya Ultra Tinggi: Menghasilkan daya keluaran puncak 400 W dalam paket ringkas dengan kepadatan daya terdepan di industri, secara signifikan mengurangi ukuran front-end RF stasiun pangkalan dan menurunkan biaya sistem.
Konversi Energi Efisiensi Tinggi: Efisiensi pembuangan tipikal melebihi 50%, secara signifikan mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan meningkatkan keandalan sistem dan keekonomian operasional.
Desain Kapasitansi Output Rendah: Meningkatkan respons frekuensi dan efisiensi dalam aplikasi Doherty, meningkatkan kemampuan adaptasi broadband, dan meningkatkan kinerja sistem secara keseluruhan.
Perlindungan ESD Terintegrasi: Memberikan perlindungan pelepasan muatan listrik statis yang sangat baik, meningkatkan keandalan dan masa pakai perangkat.
Transformasi Impedansi Terintegrasi: Jaringan transformasi impedansi masukan dan keluaran bawaan memungkinkan pencocokan PCB yang mudah digunakan hingga 50 ohm, menyederhanakan proses desain.
Paket Keandalan Tinggi: Paket flensa plastik rongga udara menawarkan konduktivitas termal yang sangat baik dengan ketahanan termal yang rendah, memastikan pengoperasian yang stabil dalam kondisi beban tinggi.
Sesuai RoHS: Memenuhi persyaratan arahan RoHS untuk aplikasi pasar global.

Aplikasi

Penguat Daya RF untuk Pemancar Makro/Mikro 5G NR (pita 2,496–2,69 GHz, misalnya, n78/n79)
Modul Penguat Daya Stasiun Pangkalan 4G LTE Multi-band (2496–2690 MHz)
Unit Amplifikasi Daya dalam Sistem Massive MIMO (mMIMO).
Sistem Pemancar Komunikasi Multi-Carrier (misalnya W-CDMA, LTE-A Pro)
Infrastruktur Komunikasi Nirkabel Broadband (misalnya, C-Band, 5G-Advanced)
Industrial Internet of Things (IIoT) dan Sistem Komunikasi Jaringan Pribadi (misalnya, 5G-Industri)

Produk panas