Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS

BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Model: BLP05H9S500P
Pabrikan: Ampeon
Jenis Produk: Transistor Daya LDMOS Dorong-Tarik, dioptimalkan untuk pita ISM 423–443MHz (frekuensi inti untuk aplikasi Industri, Ilmiah, dan Medis, mencakup komunikasi nirkabel arus utama 433MHz dan frekuensi pemanas industri), mencapai keseimbangan luar biasa antara daya output ultra-tinggi 500W, efisiensi pengurasan terdepan di industri sebesar 75%, dan ketangguhan ketidaksesuaian beban yang luar biasa dengan teknologi LDMOS canggih, dilengkapi perlindungan ESD terintegrasi dan desain termal yang dioptimalkan untuk aplikasi CW (Continuous Wave) dan CW berdenyut

Spesifikasi Utama

Parameter Specification
Frequency Range 423 MHz ~ 443 MHz (Precisely covers core ISM band frequencies, suitable for 433MHz wireless communication and industrial heating applications)
Output Power 500W (CW/pulsed CW mode, at 50V supply, 433MHz, Class AB bias)
Output Power at 1dB Compression 57dBm (500W CW, at 50V supply, 433MHz)
Typical Power Gain 25.3 dB (CW mode, at 50V supply, 433MHz), 25.6 dB (pulsed CW mode, at 50V supply, 433MHz)
Typical Drain Efficiency 75% (CW mode, at 50V supply, 433MHz), 75.8% (pulsed CW mode, at 50V supply, 433MHz)
Supply Voltage 50V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 108V
Quiescent Current 480 mA (Class AB bias, at 50V supply)
Package Type OMP-780-4F-1 (plastic heatsink small outline package), dimensions 20.75mm×9.96mm×4mm, lightweight design with excellent thermal performance
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input and output, simplifying RF PCB design and reducing external component count
Architecture Push-pull configuration with integrated ESD protection, achieving excellent off-state isolation performance and thermal stability
Operating Temperature -40°C ~ +150°C (Maximum Junction Temperature 225°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 0.25 K/W (typical value, under CW operating conditions)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 50V supply, 433MHz, CW/pulsed signal), industrial-grade robustness design
Threshold Voltage 2.0V ~ 3.0V (typical value 2.5V), suitable for wide-range bias circuit design
Drain Leakage Current 3.5μA (typical value, at VDS=50V, VGS=0V), low power standby design
ESD Protection Integrated ESD protection circuit, CDM/MM test levels meet industrial standards, enhancing device reliability during production and application
Stability Unconditionally stable across the entire band, Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.1GHz to 1GHz frequency range), ensuring no self-oscillation risk

Fitur & Manfaat

  • Mengadopsi proses LDMOS canggih Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya keluaran ultra-tinggi 500W dan 75% efisiensi pembuangan terdepan di industri, ideal untuk daya tinggi, persyaratan efisiensi tinggi dalam aplikasi pita ISM, secara signifikan mengurangi konsumsi daya sistem dan tekanan pembuangan panas, dan menghemat biaya pengoperasian.
  • Desain konfigurasi dorong-tarik dengan jaringan pencocokan input/output 50Ω bawaan sangat menyederhanakan desain RF PCB, mengurangi jumlah komponen eksternal, mempercepat waktu pemasaran produk, menurunkan biaya sistem dan penggunaan ruang, serta meningkatkan daya saing produk.
  • Kekasaran ketidaksesuaian beban tingkat industri, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, memastikan operasi sistem yang stabil di lingkungan elektromagnetik yang kompleks, mengurangi risiko kegagalan peralatan industri, dan meningkatkan keandalan peralatan dan masa pakai.
  • Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi meningkatkan keandalan perangkat selama produksi, pengujian, dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis, beradaptasi dengan standar kualitas tingkat industri, meningkatkan hasil produksi, dan cocok untuk manufaktur otomatis skala besar.
  • Desain stabilitas termal yang sangat baik dengan suhu sambungan maksimum hingga 225°C dan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 0,25 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi, beradaptasi dengan persyaratan pendinginan ruang kompak untuk peralatan industri dan memperpanjang masa pakai perangkat.
  • Kisaran suhu pengoperasian yang luas (-40°C ~ +150°C) memenuhi persyaratan aplikasi lingkungan industri, beradaptasi dengan berbagai kondisi kerja seperti suhu tinggi di pabrik dan suhu rendah di luar ruangan, memastikan pengoperasian peralatan yang stabil di segala cuaca.
  • Fitur kontrol daya yang mudah mendukung penyesuaian bias rentang lebar, beradaptasi dengan lebar pulsa dan persyaratan siklus kerja yang berbeda, memenuhi beragam persyaratan output daya dari aplikasi pita ISM seperti pencahayaan plasma RF, pencairan bunga es, dan pemanasan industri.
  • Sesuai dengan RoHS, cocok untuk manufaktur dan peningkatan peralatan industri global, berkontribusi terhadap pengembangan industri ramah lingkungan, mengurangi jejak karbon, dan memenuhi persyaratan pembangunan berkelanjutan.
  • Desain tegangan tembus tinggi (108V) meningkatkan keandalan perangkat dalam lingkungan fluktuasi tegangan tinggi, beradaptasi dengan kondisi fluktuasi catu daya di sistem industri, dan mengurangi risiko kerusakan tegangan.
  • Desain yang stabil tanpa syarat di seluruh pita memastikan tidak ada risiko osilasi mandiri dalam rentang frekuensi yang luas, meningkatkan stabilitas dan keandalan sistem, beradaptasi dengan persyaratan operasi skenario multi-aplikasi pita ISM.

Aplikasi

  • Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk peralatan pemanas industri pita ISM (433MHz), mendukung transmisi sinyal gelombang kontinu berdaya tinggi, meningkatkan efisiensi dan keseragaman pemanasan, cocok untuk aplikasi industri seperti pengelasan plastik dan perlakuan panas logam.
  • Modul amplifikasi daya untuk sistem pencahayaan plasma RF, mendukung transmisi sinyal daya tinggi pada pita 423-443MHz, meningkatkan kecerahan pencahayaan dan efisiensi energi, cocok untuk skenario aplikasi seperti pencahayaan industri dan pencahayaan panggung.
  • Modul transmisi RF untuk peralatan pencairan bunga es gelombang mikro, mendukung keluaran sinyal berdenyut daya tinggi 500W, meningkatkan efisiensi dan keseragaman pencairan bunga es, cocok untuk bidang seperti pengolahan makanan dan peralatan medis.
  • Unit amplifikasi daya untuk stasiun pangkalan komunikasi nirkabel 433MHz (misalnya IoT, otomasi industri), mendukung transmisi sinyal jarak jauh, meningkatkan jarak komunikasi dan kemampuan anti-interferensi, cocok untuk skenario aplikasi seperti pabrik pintar dan kota pintar.
  • Modul keluaran daya tinggi untuk peralatan uji industri (misalnya, generator sinyal RF, penguat daya), mendukung penyesuaian daya jangkauan luas, beradaptasi dengan penelitian dan pengembangan dan persyaratan pengujian peralatan industri, serta meningkatkan efisiensi dan akurasi pengujian.
  • Unit amplifikasi daya untuk peralatan medis (misalnya, instrumen terapi RF), memenuhi persyaratan penerapan daya tinggi, keandalan tinggi, dan lingkungan tingkat medis, meningkatkan kinerja peralatan medis dan efek pengobatan.
  • Modul transmisi RF untuk gateway Industrial Internet of Things (IIoT), mendukung transmisi sinyal berdaya tinggi, meningkatkan jangkauan jaringan dan stabilitas operasional, dan memastikan pengoperasian sistem IoT industri yang andal.
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLF0910H9LS750PU BLF0910H9LS750PY RF MOSFET LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim