Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya

BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U BLF0910H9LS600J

Merek: Ampeon

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Model: BLF0910H9LS600
Pabrikan: Ampeon
Jenis Produk: Transistor Daya LDMOS ujung tunggal, dioptimalkan untuk pita ISM 902–928MHz (frekuensi inti untuk aplikasi Industri, Ilmiah, dan Medis, mencakup frekuensi pemanasan industri arus utama dan komunikasi nirkabel 915MHz), mencapai keseimbangan luar biasa antara daya keluaran gelombang kontinu ultra-tinggi 600W, efisiensi pengurasan terdepan di industri sebesar 68,5%, dan ketangguhan ketidaksesuaian beban yang luar biasa dengan teknologi LDMOS canggih Ampleon Gen9HV 50V, yang menampilkan perlindungan ESD terintegrasi dan desain termal yang dioptimalkan untuk CW (Continuous Wave) dan aplikasi daya tinggi CW berdenyutAmpleon

Spesifikasi Utama

Parameter Specification
Frequency Range 902 MHz ~ 928 MHz (Precisely covers core ISM band frequencies, suitable for 915MHz industrial heating, wireless communication and professional cooking applications)
Output Power 600W (CW mode, at 50V supply, 915MHz, Class AB bias), 650W (pulsed mode, at 50V supply, 915MHz)Ampleon
Output Power at 1dB Compression 57.8dBm (600W CW, at 50V supply, 915MHz)
Typical Power Gain 19.8 dB (CW mode, at 50V supply, 915MHz), >19 dB (at 600W output)
Typical Drain Efficiency 68.5% (CW mode, at 50V supply, 915MHz), >66% (at 600W output)
Supply Voltage 50V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 108VAmpleon
Quiescent Current 90 mA (Class AB bias, at 50V supply, total IDq)
Package Type SOT502B (high-performance ceramic package), compact size with excellent thermal performance, suitable for high power continuous wave applications
Port Characteristics External matching required for input/output, providing flexible impedance matching design space to meet different system requirements
Architecture Single-ended common source configuration with integrated ESD protection, achieving excellent off-state isolation performance and thermal stability
Operating Temperature -65°C ~ +150°C (Maximum Junction Temperature 225°C), meeting industrial extreme environment application requirements
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 0.25 K/W (typical value, under CW operating conditions)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 50V supply, 915MHz, CW/pulsed signal), industrial-grade robustness design
Threshold Voltage 1.73V (typical value, total IDq=90mA), suitable for wide-range bias circuit design
Drain Leakage Current 2.8μA (typical value, at VDS=50V, VGS=0V), low power standby designAmpleon
ESD Protection Integrated ESD protection circuit, CDM/MM test levels meet industrial standards, enhancing device reliability during production and application
Stability Unconditionally stable across the entire band, Rollett stability factor K>1, ensuring no self-oscillation risk

Fitur & Manfaat

  • Mengadopsi proses LDMOS canggih Ampleon Gen9HV 50V, mencapai keseimbangan antara daya keluaran gelombang kontinu ultra-tinggi 600W dan efisiensi pembuangan terdepan di industri sebesar 68,5%, ideal untuk daya tinggi, persyaratan efisiensi tinggi dalam aplikasi pita ISM, secara signifikan mengurangi konsumsi daya sistem dan tekanan pembuangan panas, serta menghemat biaya pengoperasian.
  • Desain konfigurasi sumber umum berujung tunggal menyediakan ruang desain pencocokan eksternal yang fleksibel, beradaptasi dengan persyaratan impedansi sistem yang berbeda, menyederhanakan proses integrasi sistem, dan meningkatkan fleksibilitas pengembangan produk.
  • Kekasaran ketidaksesuaian beban tingkat industri, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, memastikan operasi sistem yang stabil di lingkungan elektromagnetik yang kompleks, mengurangi risiko kegagalan peralatan industri, dan meningkatkan keandalan peralatan dan masa pakai.
  • Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi meningkatkan keandalan perangkat selama produksi, pengujian, dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis, beradaptasi dengan standar kualitas tingkat industri, meningkatkan hasil produksi, dan cocok untuk manufaktur otomatis skala besar.
  • Desain stabilitas termal yang sangat baik dengan suhu sambungan maksimum hingga 225°C dan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 0,25 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi, beradaptasi dengan persyaratan pendinginan ruang kompak untuk peralatan industri dan memperpanjang masa pakai perangkat.
  • Kisaran suhu pengoperasian yang luas (-65°C ~ +150°C) memenuhi persyaratan aplikasi lingkungan ekstrem industri, beradaptasi dengan berbagai kondisi kerja seperti suhu tinggi di pabrik dan suhu rendah di luar ruangan, memastikan pengoperasian peralatan yang stabil di segala cuaca.
  • Fitur kontrol daya yang mudah mendukung penyesuaian bias rentang lebar, beradaptasi dengan lebar pulsa dan persyaratan siklus kerja yang berbeda, memenuhi beragam persyaratan output daya dari aplikasi pita ISM seperti pemanas industri, memasak profesional, dan komunikasi nirkabel.
  • Sesuai dengan RoHS, cocok untuk manufaktur dan peningkatan peralatan industri global, berkontribusi terhadap pengembangan industri ramah lingkungan, mengurangi jejak karbon, dan memenuhi persyaratan pembangunan berkelanjutan.
  • Desain tegangan tembus tinggi (108V) meningkatkan keandalan perangkat di bawah lingkungan fluktuasi tegangan tinggi, beradaptasi dengan kondisi fluktuasi catu daya di sistem industri dan mengurangi risiko kerusakan teganganAmpleon.
  • Desain yang stabil tanpa syarat di seluruh pita memastikan tidak ada risiko osilasi mandiri dalam rentang frekuensi yang luas, meningkatkan stabilitas dan keandalan sistem, beradaptasi dengan persyaratan operasi skenario multi-aplikasi pita ISM.

Aplikasi

  • Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk peralatan pemanas industri pita ISM (915MHz), mendukung transmisi sinyal gelombang kontinu berdaya tinggi, meningkatkan efisiensi dan keseragaman pemanasan, cocok untuk aplikasi industri seperti pengelasan plastik, perlakuan panas logam, dan pengeringan kayu.
  • Modul amplifikasi daya untuk peralatan memasak profesional (misalnya oven microwave komersial, oven industri), mendukung transmisi sinyal daya tinggi pada pita 902-928MHz, meningkatkan efisiensi memasak dan cita rasa makanan, cocok untuk kebutuhan produksi skala besar di industri katering.
  • Unit amplifikasi daya untuk stasiun pangkalan komunikasi nirkabel (misalnya, IoT, otomasi industri, jaringan sensor nirkabel), mendukung transmisi sinyal jarak jauh, meningkatkan jarak komunikasi dan kemampuan anti-interferensi, cocok untuk skenario aplikasi seperti pabrik pintar dan kota pintar.
  • Modul amplifikasi daya untuk peralatan plasma RF, mendukung keluaran sinyal gelombang kontinu berdaya tinggi, meningkatkan kepadatan dan stabilitas plasma, cocok untuk aplikasi industri kelas atas seperti manufaktur semikonduktor dan pemrosesan material.
  • Modul keluaran daya tinggi untuk peralatan uji industri (misalnya, generator sinyal RF, penguat daya), mendukung penyesuaian daya jangkauan luas, beradaptasi dengan penelitian dan pengembangan dan persyaratan pengujian peralatan industri, serta meningkatkan efisiensi dan akurasi pengujian.
  • Unit amplifikasi daya untuk peralatan medis (misalnya, instrumen terapi RF, peralatan pencitraan medis), memenuhi persyaratan aplikasi lingkungan berkekuatan tinggi, keandalan tinggi, dan tingkat medis, meningkatkan kinerja peralatan medis dan efek pengobatan.
  • Modul transmisi RF untuk gateway Industrial Internet of Things (IIoT), mendukung transmisi sinyal berdaya tinggi, meningkatkan jangkauan jaringan dan stabilitas operasional, dan memastikan pengoperasian sistem IoT industri yang andal.
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim