Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS

BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U BLF2425M9LS140J

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
BLF2425M9LS140 adalah transistor RF LDMOS berdaya tinggi 140 W yang diproduksi oleh Ampleon, mengadopsi proses RF generasi M9 yang canggih. Ini dirancang khusus untuk aplikasi gelombang kontinu (CW) berdaya tinggi di 2400–2500 MHz (pita ISM 2,45 GHz) dan ditempatkan dalam paket keramik berflensa tanpa telinga berperforma tinggi (SOT-502B). Perangkat ini mengintegrasikan jaringan pencocokan impedansi input/output 50Ω, yang secara signifikan menyederhanakan desain sirkuit RF.

Fitur Utama

  • Daya & Penguatan Tinggi: Daya output tipikal sebesar 140 W pada 2450 MHz, penguatan daya sebesar 19 dB, dan efisiensi pengurasan sebesar 65% (VDS=32 V, IDQ=200 mA), menghasilkan efisiensi energi yang luar biasa.
  • Ketangguhan Luar Biasa: Tahan ketidaksesuaian beban VSWR pita penuh 20:1 pada tegangan suplai 32 V, menampilkan ketahanan guncangan yang luar biasa untuk kondisi pengoperasian yang keras.
  • Perlindungan & Pencocokan Terintegrasi: Perlindungan ESD bawaan untuk meningkatkan kemampuan anti-interferensi; pencocokan input/output 50 Ω yang sepenuhnya terintegrasi menghilangkan kebutuhan akan jaringan pencocokan kompleks tambahan, sehingga mengurangi waktu siklus penelitian dan pengembangan.
  • Keandalan Tingkat Industri: Tegangan sumber pembuangan maksimum 65 V, toleransi suhu sambungan hingga 225°C, dan ketahanan termal rendah (sambungan ke casing) sebesar 0,4 K/W, cocok untuk pengoperasian berkelanjutan jangka panjang.
  • Kisaran Suhu yang Luas: Suhu penyimpanan dari -65°C hingga 150°C, kemampuan beradaptasi yang kuat terhadap berbagai lingkungan industri.

Aplikasi Khas

  • Amplifikasi daya tahap akhir untuk peralatan pemanas, pengeringan, dan pencairan gelombang mikro industri 2,45 GHz
  • Tahap amplifikasi daya tinggi dalam sistem transmisi RF Industri, Ilmiah, dan Medis (ISM).
  • Perangkat daya inti untuk catu daya RF 2,4 GHz dan peralatan pemanas induksi
  • Tahap amplifikasi daya terakhir dalam sistem komunikasi multi-operator
  • Sumber sinyal berdaya tinggi untuk peralatan uji RF profesional

Spesifikasi

Parameter Value Notes
Frequency Range 2400–2500 MHz 2.45 GHz ISM band
Output Power (CW) 140 W (typical) VDS=32 V, IDQ=200 mA
Power Gain 18.5–19 dB (typ. 19 dB) 2450 MHz, Pout=140 W
Drain Efficiency 65% (typical) 2450 MHz, Pout=140 W
Supply Voltage 32 V (DC) Standard operating voltage
Maximum Drain-Source Voltage 65 V Absolute maximum rating
Package SOT-502B (earless flanged ceramic) 3-pin design
Thermal Resistance (junction-to-case) 0.4 K/W Typical value
Junction Temperature Up to 225°C Absolute maximum rating
VSWR Ruggedness 20:1 Full frequency band
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim