Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS

BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLP15H9S100Z BLP15H9S100

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Transistor LDMOS Daya BLP15H9S100Z
Transistor daya LDMOS RF ultra-wideband 100W Ampleon asli.
Rentang frekuensi: 10kHz hingga 2GHz, cakupan pita penuh dari HF hingga UHFAmpleon.
Tegangan terukur: 50V, menghasilkan perolehan daya tinggi dan efisiensi pembuangan yang sangat baik.
Dilengkapi perlindungan ESD bawaan, ketangguhan VSWR 20:1 yang unggul, dan paket pemasangan permukaan SOT-1482-1 dengan bantalan termal terbuka untuk pembuangan panas yang efisien.
Ideal untuk tahap driver pemancar siaran, pemanas RF industri, perangkat RF medis, peralatan pita ISM, dan sistem komunikasi nirkabel. Keandalan tingkat industri, pilihan sempurna untuk aplikasi amplifikasi daya RF broadbandAmpleon.

Versi Rinci Lengkap

Model: BLP15H9S100Z
Merk : Ampeon
Tipe Perangkat: Transistor Daya RF LDMOS Ultra-Wideband 100WAmpleon
Spesifikasi Utama
  • Daya Keluaran: 100W CWAmpleon
  • Rentang Frekuensi: 10kHz ~ 2GHzAmpleon
  • Tegangan Pasokan: 50V
  • Penguatan Daya Khas: 19dB (pada 1,5GHz)
  • Efisiensi Pengurasan Khas: 60% (pada 1,5GHz)
  • Tegangan Sumber Pembuangan Maksimum: 106V
  • Tipe Paket: SOT-1482-1 Surface Mount (4 pin, bantalan termal terbuka)
Keunggulan Produk
  1. Cakupan frekuensi ultra lebar dari 10kHz hingga 2GHz, cocok untuk berbagai skenario aplikasiAmpleon
  2. Ketangguhan luar biasa dengan kemampuan ketidaksesuaian beban VSWR 20:1, memastikan stabilitas sistem
  3. Perlindungan ESD terintegrasi (2kV HBM), meningkatkan keandalan dan masa pakai produk
  4. Karakteristik gain dan efisiensi yang tinggi menyederhanakan desain rangkaian amplifier dan mengurangi konsumsi daya sistem
  5. Kisaran suhu pengoperasian yang luas (-40℃ hingga +85℃), dapat beradaptasi dengan lingkungan industri yang keras
  6. Paket SMD ringkas (SOT-1482-1) memfasilitasi produksi massal dan optimalisasi tata letak PCB
Aplikasi Khas
  • Pemancar komunikasi siaran (digital/analog)Ampleon
  • Peralatan pemanas RF industri (pengelasan plastik, perlakuan panas logam)Ampleon
  • Modul daya RF medis (ablasi frekuensi radio, pengobatan tumor)
  • Sistem komunikasi luar angkasa
  • Amplifier daya tinggi pita ISM (2,45GHz, dll.)
  • Tahapan driver instrumen uji RF
  • Sirkuit pra-driver stasiun pangkalan nirkabel
    51f0996f58022291535b47737baba964
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> BLP15H9S100Z BLP15H9S100 AMPLEON LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim