Penguat Daya RF BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

Penguat Daya RF BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM9D3438-16AM BLM9D3438-16AMZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

BLM9D3438-16AM LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi

Model: BLM9D3438-16AMZ

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: LDMOS 28V Generasi ke-9, Amplifier Daya RF Doherty MMIC 3 tahap yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,4–3,8GHz (mencakup pita inti 5G NR n78 dan pita frekuensi tinggi 4G TDD-LTE) aplikasi sel kecil dan driver tujuan umum, mencapai keseimbangan sempurna antara integrasi dan efisiensi tinggi dengan teknologi LDMOS canggih

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz band)
Peak Output Power	16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42dBm typical, at 28V supply, pulsed CW measurement)
Typical Power Gain	32.5 dB (at 28V supply, 40dBm peak output, 3600MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency	24.3% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3600MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	38 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)
Package Type	LGA-7x7-20-2, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture	3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 10.76 K/W (at PL=0.8W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 28V supply, 3400MHz, CW signal), improving system robustness
Gain Flatness	Only 2.5dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses lanjutan LDMOS generasi ke-9 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 16W dan efisiensi tinggi 24,3%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G (PAR=7,2dB), memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk stasiun pangkalan sel kecil.
Arsitektur Doherty terintegrasi penuh 3 tahap yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -34,8dBc setelah DPD, memenuhi spesifikasi linearitas 5G NR yang ketat dan mendukung aplikasi agregasi multi-carrier (CA).
Desain terintegrasi penuh (splitter, penggabung, jaringan pencocokan 50Ω, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF, mengurangi jumlah komponen eksternal, mempercepat waktu pemasaran sel kecil dan menurunkan biaya sistem dan penggunaan ruang.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mendukung penyesuaian daya dinamis dan meningkatkan efisiensi energi sistem.
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks, mengurangi biaya pemeliharaan stasiun pangkalan, dan memperpanjang masa pakai peralatan.
Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 2,5dB dalam pita 3400-3800MHz), cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal dan meningkatkan keandalan sistem dan fleksibilitas desain.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM 1000V, HBM 2000V) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis, meningkatkan hasil produksi, dan beradaptasi dengan manufaktur otomatis skala besar.
Paket LGA yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 10,76 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi, beradaptasi dengan persyaratan pendinginan ruang kompak sel kecil, dan memperpanjang masa pakai perangkat.
Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra-lebar, cocok untuk sistem sel kecil generasi mendatang yang mendukung sinyal pita lebar, memenuhi kebutuhan evolusi jaringan 5G di masa depan (misalnya, 5G-Advanced) dan melindungi investasi pelanggan.
Sesuai dengan RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global, berkontribusi terhadap pengembangan komunikasi ramah lingkungan dan mengurangi jejak karbon.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n78 band (3,4-3,8GHz), mendukung persyaratan daya tinggi dan linearitas tinggi, cocok untuk skenario cakupan perkotaan dan pinggiran kota.
Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan pita 4G TDD-LTE 3,5GHz, meningkatkan jangkauan dan kapasitas jaringan, mendukung kelancaran transisi ke jaringan 5G.
Amplifier driver serba guna untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), memenuhi persyaratan sinyal ultra-broadband, meningkatkan kapasitas sistem dan mendukung aplikasi bandwidth tinggi seperti video HD dan cloud gaming.
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan sel kecil MIMO (mMIMO) yang besar, mendukung kepadatan daya tinggi dan persyaratan efisiensi tinggi, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan dan beradaptasi dengan desain susunan multi-antena.
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), yang memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi, mendukung penerapan lingkungan tingkat industri seperti manufaktur pintar dan jaringan pintar.
Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mengurangi biaya pengembangan peralatan, mempercepat waktu pemasaran dan beradaptasi dengan kebutuhan koeksistensi jaringan multi-standar operator.
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi, membantu operator menyebarkan jaringan 5G dengan cepat, meningkatkan pengalaman pengguna, dan memenuhi kebutuhan pengembangan ekonomi digital.

Produk panas