Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLC10G22XS-301AVT BLC10G22XS-301AVTZ BLC10G22XS-301AVTY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Deskripsi Umum

BLC10G22XS-301AVT adalah transistor Doherty LDMOS asimetris 300W P1dB dari proses generasi ke-10 (GEN10) Ampleon, yang beroperasi pada 2110–2170MHz (5G n1/n66, 4G B1/B66). Bertempat dalam paket SOT1275-1 yang ditingkatkan secara termal, ini dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro dan penguat daya akhir antena aktif MIMO yang besar.

Spesifikasi Utama (2140MHz, Vds=30V)

  • Daya Keluaran: 300W (P1dB);Psat≈330W
  • Penguatan Daya: 17,5dB
  • Efisiensi Pembuangan: 48%
  • Arus Diam: 540mA (Vds=28V, Vgsq=2.2V)
  • Ketahanan Termal (J‑C): 0,19K/W (umum)
  • Tegangan Pasokan: 30V DC (maks 55V)
  • Kisaran Suhu: -40℃ ~ +150℃

Fitur Utama

  • ✅ GEN10 LDMOS:Efisiensi lebih tinggi, ketahanan termal lebih rendah, linearitas lebih baik
  • ✅ Pencocokan internal 50Ω: Menyederhanakan desain, mengurangi BOM
  • ✅ Efek memori rendah: Dioptimalkan untuk DPD, linearisasi luar biasa
  • ✅ Kapasitansi keluaran rendah: Peningkatan kinerja Doherty, bandwidth lebih lebar
  • ✅ Ketangguhan luar biasa: Tahan terhadap ketidaksesuaian beban fase penuh 10:1
  • ✅ Perlindungan ESD terintegrasi, sesuai RoHS

Aplikasi

  • Penguat daya akhir untuk stasiun pangkalan makro 5G n1/n66, 4G B1/B66
  • Saluran transmisi RF untuk antena aktif MIMO yang besar
  • Pemancar multi-carrier, repeater, DAS (Sistem Antena Terdistribusi)

Rincian Nomor Bagian

  • BLC:Seri LDMOS Berdaya Tinggi Ampleon
  • 10:LDMOS generasi ke-10 (GEN10).
  • G: Daya Tinggi untuk tujuan umum
  • 22:2110–2170MHz(pita 2,2GHz)
  • XS:Paket yang Ditingkatkan Secara Termal
  • 301:Peringkat Daya 300W + Versi Standar
  • AV:Kelas Industri, Dioptimalkan Linier
  • T:Kemasan Pita & Gulungan
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim