Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG

Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLM9H0610S-60PG

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Nomor Bagian: BLM9H0610S-60PG
Pabrikan:Ampleon
Jenis Perangkat: LDMOS tegangan tinggi generasi ke-9, MMIC daya 2 tahap dua bagian, dengan pencocokan on-chip, dioptimalkan untuk driver stasiun pangkalan makro sub-1GHz 4G/5G atau amplifier akhir sel kecil.

Spesifikasi Utama

  • Rentang Frekuensi:600MHz ~ 1000MHz
  • Tegangan Pasokan Khas:48 V
  • Daya Output:60 W (W-CDMA operator tunggal)
  • Penguatan Daya:35,5 dB (Biasa)
  • Efisiensi Pembuangan:12%
  • Paket: OMP-780-16G-1, sayap camar 16-pin
  • Isolasi:Tinggi, mendukung beberapa kombinasi topologi
  • Bias: Independen untuk setiap tahap, dapat disesuaikan secara eksternal
  • Fitur: Perlindungan ESD bawaan, stabilitas termal yang sangat baik, pencocokan on-chip, perolehan tinggi

Fitur Utama

Memanfaatkan teknologi LDMMIC GEN9 HV Ampleon dengan struktur simetris dua bagian (2 tahap per bagian).
Isolasi bagian-ke-bagian yang tinggi memungkinkan Doherty, penggabung quadrature, push-pull, dan topologi lainnya.
Biasing tahap independen memungkinkan pengoptimalan yang fleksibel; pencocokan on-chip menyederhanakan desain PCB dan mengurangi upaya penyetelan.
Penguatan dan linearitas tinggi mendukung sinyal 5G NR/LTE PAR tinggi.

Aplikasi Khas

Amplifier driver untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G RRU/AAU, amplifier tahap akhir untuk sel kecil sub-1GHz, pemancar broadband, jaringan pribadi, dan peralatan RF keselamatan publik.

Definisi Nomor Bagian

  • BLM:Penguat daya LDMOS tipe MMIC
  • 9:proses LDMOS generasi ke-9
  • H:Kelas tegangan tinggi
  • 06:pita frekuensi 600–1000 MHz
  • Platform daya dasar 10:10W
  • S: Bagian ganda simetris
  • Peringkat daya 60:60W
  • PG:Versi paket sayap camar
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya> Transistor MOSFET RF BLM9H0610S-60PG
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim