Transistor LDMOS Daya
BLC9G21LS-60AVZ adalah transistor daya RF LDMOS saluran N ganda yang didasarkan pada teknologi LDMOS Gen9 Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun induk 4G/5G 1805–2200MHz (1,8–2,2GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan amplifier daya Doherty efisiensi tinggi. Bertempat di paket SOT1275-1 (DFM-6-pin base mount), ia memiliki kepadatan daya tinggi, gain tinggi, linearitas tinggi, dan keandalan tinggi, kompatibel dengan arsitektur Doherty simetris/asimetris dan aplikasi ujung tunggal.
Fitur Utama
- Kinerja RF: Beroperasi pada 1805–2200MHz, menghasilkan daya keluaran tipikal 60W (47,8dBm) dengan penguatan tipikal ≥17,5dB, tegangan pengurasan 28V (maks 65V), efisiensi pengurasan tipikal ≥30%, mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD, ideal untuk persyaratan linearitas ketat stasiun pangkalan 4G/5G.
- Struktur & Paket: Konfigurasi sumber umum transistor ganda, paket pemasangan dasar SOT1275-1 (DFM-6) dengan kinerja termal yang sangat baik untuk desain kepadatan daya tinggi; jaringan pencocokan masukan terintegrasi menyederhanakan sirkuit eksternal.
- Keandalan & Perlindungan: Perlindungan ESD bawaan, tahan terhadap suhu persimpangan tinggi dan ketidaksesuaian beban, pin decoupling meningkatkan kinerja bandwidth video, stabilitas termal yang sangat baik, sesuai RoHS.
- Kompatibilitas Desain: Mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, kompatibel dengan sirkuit Doherty simetris/asimetris dan topologi ujung tunggal, cocok untuk driver stasiun pangkalan pita 1.8GHz/2.1GHz/2.2GHz dan amplifier tahap akhir.
Aplikasi Khas
- Driver RF stasiun pangkalan 4G/5G/amplifier tahap akhir (pita 1805–2200MHz)
- Modul amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk sistem komunikasi multi-carrier W-CDMA/LTE/5G NR
- Pemancar RF infrastruktur komunikasi nirkabel 1,8–2,2GHz
- Pemancar TV dan aplikasi RF industri (pita ISM)