Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya
Kategori Produk

Kirim permintaan

Transistor LDMOS Daya

(Total 41 Products)

  • AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

    AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC9H10XS-606AZ

    Nomor Bagian: BLC9H10XS-606A Pabrikan: Ampeon Jenis Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G....

    Hubungi sekarang
  • BLC10G22XS-551AVT RF MOSFET LDMOS32V

    BLC10G22XS-551AVT RF MOSFET LDMOS32V

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G22XS-551AVT

    Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-551AVT adalah transistor daya LDMOS berkinerja tinggi yang diproduksi oleh Ampleon, dioptimalkan untuk aplikasi penguat daya RF stasiun pangkalan dan multi-carrier di pita frekuensi 2.2GHz. Bertempat dalam paket...

    Hubungi sekarang
  • BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

    BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G18XS-551AVT

    Transistor LDMOS Daya BLC10G18XS-551AVT adalah transistor daya Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 1805–1880MHz (1,8GHz) dan amplifier daya RF multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4, ia...

    Hubungi sekarang
  • BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

    BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G18XS-400AVT

    Transistor LDMOS Daya BLC10G18XS-400AVT adalah transistor daya Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 1805–1880MHz (1,8GHz) dan amplifier daya RF multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4 (plastik...

    Hubungi sekarang
  • BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

    BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC9G21LS-60AV BLC9G21LS-60AVZ BLC9G21LS-60AVY

    Transistor LDMOS Daya BLC9G21LS-60AVZ adalah transistor daya RF LDMOS saluran N ganda yang didasarkan pada teknologi LDMOS Gen9 Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun induk 4G/5G 1805–2200MHz (1,8–2,2GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan...

    Hubungi sekarang
  • Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

    Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G27XS-551AVT BLC10G27XS-551AVTZ

    Transistor LDMOS Daya Model: BLC10G27XS-551AVT Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Transistor Daya Doherty Asimetris yang Dikemas LDMOS 28V Generasi ke-10, dioptimalkan untuk aplikasi amplifikasi daya tahap akhir stasiun pangkalan makro 2,62–2,69GHz 5G...

    Hubungi sekarang
  • BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

    BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G18XS-360AVT

    Transistor LDMOS Daya BLC10G18XS-360AVT adalah transistor daya RF Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 1805–1880MHz (1,8GHz) dan amplifier daya multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4 (tanpa...

    Hubungi sekarang
  • Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

    Transistor RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

    Transistor LDMOS Daya Model: BLC10G27XS-400AVT (Model Standar: BLC10G27XS-400AVTZ, Kemasan Tape & Reel) Pabrikan: Ampeon Tipe Produk: Transistor Daya RF Doherty Asimetris Paket LDMOS 28V Generasi ke-9 (Dioptimalkan untuk Aplikasi Multi-Pembawa...

    Hubungi sekarang
  • Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-400AVT

    Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-400AVT

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC10G22XS-400AVT

    Transistor LDMOS Daya BLC10G22XS-400AVT adalah transistor daya Doherty LDMOS asimetris dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G 2110–2200MHz (2,2GHz) dan amplifier daya RF multi-carrier. Bertempat di paket SOT1258-4, ia...

    Hubungi sekarang
  • BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

    BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLP9H10-30GZ BLP9H10-30G

    Nomor Bagian:BLP9H10-30G Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：Transistor daya RF LDMOS 50V generasi ke-9, 30W, kemasan plastik, dioptimalkan untuk driver stasiun pangkalan sub‑1GHz 4G/3G/2G atau amplifier akhir berdaya rendah. Spesifikasi Utama Rentang...

    Hubungi sekarang
  • BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50V CDFM4

    BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50V CDFM4

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLF188XR

    Produk Aplikasi BLF188XR BLF188XR adalah transistor daya LDMOS RF 1400W yang diproduksi oleh Ampleon (sebelumnya NXP), beroperasi pada rentang frekuensi HF ~ 600 MHz. Hal ini terutama diterapkan pada amplifier daya RF berdaya tinggi untuk bidang...

    Hubungi sekarang
  • BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48V

    BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48V

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC9H10XS-606AZ

    Nomor Bagian : BLC9H10XS-606A Pabrikan : Ampeon Tipe Perangkat : Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris dengan pencocokan input terintegrasi, dioptimalkan untuk penguat daya akhir stasiun pangkalan sub-1GHz 4G/5G....

    Hubungi sekarang
  • BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya

    BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U Transistor LDMOS Daya

    dapatkan harga terbaru

    Merek:Ampeon

    Min. Memesan:1

    Model No:BLF0910H9LS600 BLF0910H9LS600U BLF0910H9LS600J

    Model: BLF0910H9LS600 Pabrikan: Ampeon Jenis Produk: Transistor Daya LDMOS ujung tunggal, dioptimalkan untuk pita ISM 902–928MHz (frekuensi inti untuk aplikasi Industri, Ilmiah, dan Medis, mencakup frekuensi pemanasan industri arus utama dan...

    Hubungi sekarang
  • BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

    BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC8G21LS-160AVZ BLC8G21LS-160AVY

    BLC8G21LS-160AVZ adalah transistor daya RF LDMOS saluran N ganda yang didasarkan pada teknologi LDMOS Gen8 Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun induk 4G/5G 1805–2025MHz (1,8–2,025GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan amplifier daya Doherty...

    Hubungi sekarang
  • BLC9G22LS-160VTZ RF MOSFET LDMOS

    BLC9G22LS-160VTZ RF MOSFET LDMOS

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC9G22LS-160VTZ

    BLC9G22LS-160VT adalah transistor daya RF LDMOS saluran-N dari Ampleon, dioptimalkan untuk infrastruktur nirkabel pita 2,2GHz, pemancar TV, dan amplifier daya RF industri. Bertempat dalam paket SOT1271-2, ia memiliki fitur daya tinggi, penguatan...

    Hubungi sekarang
  • BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

    BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC9H10XS-350A

    Nomor Bagian: BLC9H10XS-350A Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-9, transistor daya RF Doherty asimetris 350 W, dioptimalkan untuk amplifier akhir stasiun pangkalan makro 617–960 MHz sub‑1GHz 4G/5G. Spesifikasi Utama Rentang...

    Hubungi sekarang
  • BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48V SOT1273-1

    BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48V SOT1273-1

    dapatkan harga terbaru

    Merek:AMPLEON

    Min. Memesan:1

    Model No:BLC9H10XS-500A

    Nomor Bagian: BLC9H10XS-500A Pabrikan：Ampleon Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-9, transistor daya RF Doherty asimetris 500 W, dioptimalkan untuk amplifier akhir stasiun pangkalan makro 617–960 MHz sub‑1GHz 4G/5G. Spesifikasi Utama Rentang...

    Hubungi sekarang
Daftar Produk Terkait
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> Transistor LDMOS Daya
Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.
WhatsApp:
+86 17287775445
Email:
870630590@qq.com
Situs web:
https://id.ldmoscn.com
Hak cipta © 2026 Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd. semua hak dilindungi.
Silakan tinggalkan kami pesan

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Unggah lampiran
Kirim