Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: B11G1822N60DXZ B11G1822N60DYZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Nomor Bagian:B11G1822N60D
Pabrikan:Ampleon
Tipe Perangkat:LDMOS, MMIC Doherty dua tahap 2 tahap terintegrasi penuh, 1,8–2,2 GHz, daya linier 60 W, stasiun pangkalan makro / amplifier driver serbaguna mMIMO 5GAmpleon.

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=28V, IDq=150mA, sinyal LTE 20MHz)

  • Rentang Frekuensi:1,8 GHz ~ 2,2 GHz (pita arus utama 2G/3G/4G/5G)
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):28 V (Biasa), Maks 65 VAmpleon
  • Arus Diam (IDq):150 mA (pembawa/puncak, Tip.)Ampleon
  • Daya Output Linier (PL(AV)):60 W (47,8 dBm, titik kompresi 1dB)Ampleon
  • Penguatan Daya (Gp):29,8 dB (Umum)Ampleon
  • Efisiensi Pengurasan (ηD):29,5 % (Biasanya, pada daya rata-rata 60W)Ampleon
  • Kerugian Pengembalian Masukan (RLin):−15 dB (Umum)Ampleon
  • Impedansi Output:20 Ω (pra-pencocokan terintegrasi, menyederhanakan desain)Ampleon
  • Paket:PQFN-12x7-36-1 (36 pin, pemasangan permukaan kompak)Ampleon
  • Ketahanan Termal (Persimpangan ke Casing): 2,1–2,45 K/W (pada disipasi daya 5–10W)Ampleon
  • Fitur:Pembagi/penggabung dua bagian yang independen, kontrol bias pembawa/puncak terpisah, sakelar gerbang terintegrasi, perlindungan ESD, toleransi ketidakcocokan tinggi (VSWR=10:1)Ampleon

Fitur Utama

  • Arsitektur Doherty yang terintegrasi penuh: amplifikasi 2 tahap + pemisah masukan + penggabung keluaran + pencocokan awal pada satu chip, sangat menyederhanakan sirkuit eksternal dan memperpendek siklus desainAmpleon;
  • Linearitas tinggi & penguatan tinggi: penguatan 29,8dB, daya linier 60W, memenuhi persyaratan linearitas tinggi dari stasiun pangkalan 5G mMIMO/makroAmpleon;
  • Stabilitas broadband:1,8–2,2GHz ultra‑wideband, mendukung multi‑mode multi‑band (W‑CDMA/LTE/5G NR) dengan gain flatnessAmpleon ±1dB;
  • Kontrol bias yang fleksibel:Penyesuaian bias pembawa/puncak independen untuk mengoptimalkan efisiensi dan linearitas;saklar gerbang terintegrasi mendukung kontrol waktu TDDAmpleon;
  • Ketangguhan tinggi:Tahan VSWR=10:1 ketidaksesuaian beban semua fase dan interferensi kebisingan broadband, memastikan pengoperasian stabil jangka panjang dalam kondisi sulitAmpleon;
  • Paket ringkas: PQFN‑36 pemasangan di permukaan, ukuran kecil 12x7mm, cocok untuk PCB dengan kepadatan tinggi dan desain stasiun pangkalan miniAmpleon;
  • Sesuai RoHS:Bebas timah, ramah lingkungan.

Aplikasi Khas

  • Driver akhir stasiun pangkalan Macrocell (kelas 60W, 1,8–2,2GHz);
  • Antena aktif 5G mMIMO mengirimkan amplifikasi daya saluran;
  • Modul daya linieritas tinggi stasiun pangkalan mikro/pico;
  • Stasiun pangkalan multi-mode W‑CDMA/LTE/5G NR amplifikasi RF tujuan umum;
  • Menggantikan solusi driver LDMOS terpisah, meningkatkan integrasi dan mengurangi biaya BOM.

Definisi Nomor Bagian

  • B11:Seri B, LDMOS, pita 1,8–2,2 GHz
  • G:Pengemudi tujuan umum
  • 1822:rentang frekuensi 1800–2200 MHz
  • N:Doherty MMIC, paket PQFN
  • Peringkat daya linier 60:60W
  • D:Konfigurasi dua bagian
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim