Transistor MOSFET RF BLM10D1822-61ABG

Spesifikasi Utama

• Rentang Frekuensi：1800 – 2200 MHz
• Tegangan Pasokan：28 V (Umum)
• Daya Keluaran Puncak：75～83 W
• Penguatan Daya：31 dB (Biasa)
• Efisiensi Pembuangan：47% (Biasa)
• Arsitektur: Saluran independen ganda, amplifikasi 2 tahap, pra-pencocokan on-chip
• Paket: Paket SMT sayap camar 16 pin dengan bantalan termal
• Kekasaran: Toleransi ketidakcocokan beban VSWR 10:1, kompatibel dengan DPD

Fitur

1. Mengadopsi proses LDMOS generasi ke-10, memberikan gain tinggi dan linearitas superior untuk sinyal multi-carrier PAPR 5G NR & LTE tinggi；
2. Cakupan pita lebar dari 1800 hingga 2200 MHz, mendukung pita seluler arus utama global；
3. Saluran simetris independen ganda, cocok untuk desain driver push‑pull, penggabungan, diferensial, dan Doherty；
4. Jaringan pra-pencocokan input & output 50Ω yang terintegrasi, meminimalkan komponen RF eksternal dan mengurangi biaya desain；
5. Efek memori rendah memastikan kinerja linearisasi yang sangat baik dengan algoritma DPD；
6. Paket SMT Gull‑wing memungkinkan produksi massal, kinerja termal yang baik, dan integrasi mMIMO densitas tinggi；
7. Bias kompensasi suhu terintegrasi dan perlindungan ESD, memastikan pengoperasian stabil jangka panjang.

Aplikasi Khas

• Penguat driver RF untuk stasiun pangkalan makro 5G AAU/RRU（1,8G–2,2G）
• Amplifikasi saluran transmisi untuk unit antena aktif MIMO yang masif
• Modul daya RF 4G LTE multi-band multi-operator
• Jaringan pribadi broadband & penguat daya komunikasi nirkabel komersial

Definisi Nomor Bagian

• BLM：Seri MMIC daya terintegrasi
• 10：Teknologi LDMOS generasi ke-10
• D:Desain saluran ganda
• 1822：Rentang frekuensi 1800–2200 MHz
• 61：60W+ kelas driver daya tinggi
• ABG：Bantalan termal, timah sayap camar, versi standar industri