BLM9D1920-08AMZ Doherty LDMOS MMIC

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM9D1920-08AMZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

MMIC Doherty 2 Tahap

Rentang Frekuensi 1880to2025 Mhz

Daya Keluaran Rata-rata 8w

Dapatkan Tegangan Pasokan 26,8 Db 28 V

1. Ikhtisar Produk

Nomor Bagian:BLM9D1920-08AMZ

Pabrikan：Ampleon

Tipe Perangkat：LDMOS generasi ke-9 GEN9, Amplifier Daya Doherty MMIC 2 tahap yang terintegrasi penuh

Aplikasi Target：Penguat daya kelas 8W untuk sel kecil, MIMO masif, dan repeater RF pada pita 1880–2025 MHz (5G n39/n40, 4G B39/B40)

Perangkat ini mengintegrasikan amplifier pembawa, amplifier peaking, splitter input, dan penggabung output dalam satu paket, dengan input dan output 50Ω yang cocok, menghilangkan kebutuhan akan komponen pencocokan eksternal, memungkinkan pengoperasian plug-and-play dan secara signifikan memperpendek siklus desain RF.

2. Peringkat Maksimum Mutlak

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain-Source Voltage	65	V
VGS	Gate-Source Voltage	-6 ~ +11	V
Tstg	Storage Temperature	-55 ~ +125	°C
Tj	Maximum Junction Temperature	175	°C
Tcase	Maximum Case Temperature	125	°C

3. Spesifikasi Listrik Utama (Tcase=25°C, VDS=28V)

3.1 Karakteristik DC

itu

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
VGSq (Carrier)	Quiescent Gate-Source Voltage	1.65	2.03	2.75	V
IGSS (Carrier/Peaking)	Gate Leakage Current	-	140	-	nA
IDSS (Driver/Final)	Drain Leakage Current	-	1.4	-	μA

3.2 Karakteristik RF (Pita Penuh 1880–2025MHz)

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Operating Frequency	Frequency Range	1880	-	2025	MHz
Gp	Power Gain	25	26.8	-	dB
PL(3dB)	Output Power at 3dB Gain Compression	38.5	39.6 (9W)	-	dBm
PL(AV)	Average Output Power (W-CDMA)	-	1.12W (30.5dBm)	-	-
ηD	Drain Efficiency	36	42	-	%
RLin	Input Return Loss	-24	-10	-	dB
Gflat	Gain Flatness (Full Band)	-	0.8	-	dB
ACPR5M	5MHz Adjacent Channel Power Ratio	-	-28	-	dBc
ΔG/ΔT	Gain Temperature Coefficient	-	0.04	-	dB/°C
K	Rollett Stability Factor	-	>1	-	-

3.3 Karakteristik Termal

Symbol	Parameter	Typ	Unit
Rth(j-c)	Junction-to-Case Thermal Resistance	8.3~9.2	K/W

4. Definisi Pin (Paket LGA-7x7-20, Tampilan Atas)

Pin No.	Symbol	Function
1	VGS_P	Gate Bias Voltage for Peaking Amplifier
2/3/5/6/8/10/11/13/14/15/16/17/18/21	GND	RF Ground / Power Ground; Exposed pad on the backside is also ground
4	RFin	RF Signal Input, 50Ω matched, DC grounded
7	VDS1_P	Drain Supply Voltage for Peaking Driver Stage
9	VDS2	Drain Supply Voltage for Final Amplifier Stage
12	RFout	RF Signal Output, 50Ω matched, DC grounded
19	VDS1_C	Drain Supply Voltage for Carrier Driver Stage
20	VGS_C	Gate Bias Voltage for Carrier Amplifier

5. Informasi Paket

Jenis Paket: LGA-7x7-20-1
Dimensi Paket: 7.0mm × 7.0mm × 0.98mm
Jumlah Pin：20 bantalan, paket LGA tanpa timah
Kepatuhan: Sesuai RoHS, bebas timah
Perlindungan ESD: HBM Kelas 1C (1000V), CDM Kelas C2A (500V)

6. Fitur Utama

Arsitektur Doherty Terintegrasi Sepenuhnya: Amplifier pembawa/puncak terintegrasi, pembagi masukan, penggabung keluaran, dan jaringan pencocokan, I/O 50Ω, nol komponen RF eksternal;
Pita Lebar & Linearitas Tinggi: Cakupan pita penuh dari 1880 hingga 2025 MHz, kerataan penguatan 0,8dB, ACPR khas -28dBc, ramah DPD;
Efisiensi Tinggi & Keuntungan Tinggi: gain tinggi 26,8dB, efisiensi pengurasan tipikal 42%, mengurangi konsumsi daya sistem;
Kontrol Bias Fleksibel: Penyesuaian bias gerbang independen untuk amplifier pembawa dan peak, mengoptimalkan efisiensi dan linearitas pada tingkat daya yang berbeda;
Kekasaran Tinggi: Tahan ketidaksesuaian beban fase penuh 10:1, pengoperasian stabil pada rentang suhu industri;
Kinerja Termal Luar Biasa：Desain ketahanan termal rendah, paket 7×7mm dengan bantalan termal area luas, cocok untuk pengoperasian berkelanjutan jangka panjang;
Integrasi Ringkas & Tinggi: Jejak kecil 7×7mm, cocok untuk tata letak PCB kepadatan tinggi dalam sel kecil dan sistem MIMO besar.

7. Aplikasi Khas

Amplifier daya akhir sel kecil / sel pico pada pita 1880–2025 MHz (5G n39/n40, 4G B39/B40)
Saluran transmisi RF untuk antena aktif MIMO yang besar
Repeater RF multi-operator 4G LTE / 5G NR
Pemancar RF linier untuk jaringan pribadi dan peralatan nirkabel industri
Modul amplifikasi RF untuk Sistem Antena Terdistribusi (DAS)