BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON generasi ke-9

BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON generasi ke-9

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLM9D1822-30B BLM9D1822-30BZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

BLM9D1822-30BZ adalah MMIC Doherty terintegrasi 2 tahap LDMOS generasi ke-9 dari Ampleon (Belanda), yang dioptimalkan untuk sel kecil 4G/5G, tahapan driver stasiun pangkalan makro, dan amplifikasi RF umum pada pita 1,8–2,2 GHz. Ia menawarkan integrasi tinggi, kinerja broadband, efisiensi tinggi, dan stabilitas。

Spesifikasi Utama

Pabrikan: Ampleon (Belanda)
Nomor Bagian: BLM9D1822-30BZ
Rentang Frekuensi: 1800–2200 MHz
Daya Keluaran Rata-rata (PAVG): 30 W @ 28 V (Doherty)
Daya Output Jenuh (Psat): 39 W (khas)
Penguatan Daya (Gp): 28,5 dB (khas)
Tegangan Suplai Saluran (VDS): 28 V
Paket: PQFN20 (SOT1462-1)
Teknologi: LDMOS generasi ke-9 (Silikon)
Aplikasi: Tahap driver sel kecil/makro 1,8–2,2 GHz, amplifier Doherty
Status: Sedang diproduksi

Fitur

Doherty yang Sangat Terintegrasi: amplifier 2 tahap + pemisah input + penggabung output dalam satu chip, menyederhanakan desain.
Pengoperasian Broadband: 1,8–2,2 GHz mencakup multi-band GSM/W‑CDMA/LTE/5G.
Penguatan & Efisiensi Tinggi: penguatan 28,5 dB + efisiensi tinggi dalam konfigurasi Doherty, mengurangi konsumsi daya.
Bias Independen: Kontrol bias pembawa/puncak terpisah untuk linearitas dan efisiensi optimal.
Kekasaran Tinggi: Tahan terhadap ketidaksesuaian VSWR yang tinggi; perlindungan ESD terintegrasi untuk keandalan tinggi.
Efek Memori Rendah: Performa DPD luar biasa untuk sinyal termodulasi kompleks.
50 Ω Cocok: input/output 50 Ω untuk integrasi sistem yang mudah.
Kinerja Termal Unggul: Paket bantalan terbuka PQFN dengan ketahanan termal rendah dan pembuangan panas yang sangat baik.
Sesuai RoHS: Ramah lingkungan, sesuai dengan arahan RoHS UE.

Aplikasi

Sel Kecil 4G LTE & 5G NR: Amplifikasi daya akhir untuk sistem nirkabel pita 1,8–2,2 GHz.
Driver Stasiun Pangkalan Makro: Driver gain tinggi untuk transistor LDMOS berdaya tinggi.
Infrastruktur Nirkabel: Skenario amplifikasi RF multi-operator dan multi-standar.
Amplifier Doherty: Ideal untuk arsitektur Doherty PA yang ringkas dan berefisiensi tinggi。

Produk panas