BLM9D2022-08AMZ 2 tahap Doherty LDMOS MMIC terintegrasi penuh

LDMOS 2 tahap Doherty MMIC terintegrasi

Fitur Utama

1. Arsitektur Doherty Terintegrasi Sepenuhnya: Amplifier pembawa/puncak terintegrasi, pembagi masukan, penggabung keluaran, dan jaringan pencocokan, pencocokan I/O 50Ω, menghilangkan komponen RF eksternal
2. Rentang Frekuensi：2110–2170 MHz (umumnya 2140 MHz), mencakup pita 5G NR n1/n66, 4G LTE B1/B66
3. Performa Daya: Daya keluaran 8 W (P1dB), Psat ≈8,9 W, penguatan daya 26,8 dB, tegangan suplai 28 V
4. Efisiensi & Linearitas Tinggi：Efisiensi saluran tipikal 42%, ACPR turun hingga -28 dBc, kerataan penguatan 0,8 dB, ramah DPD
5. Kontrol Bias Fleksibel: Penyesuaian bias gerbang independen untuk amplifier pembawa dan peak, mengoptimalkan efisiensi dan linearitas pada tingkat daya yang berbeda
6. Paket & Keandalan：Paket bebas timah LGA-28 7×7 mm, tape-and-reel (akhiran Z), tahan terhadap ketidaksesuaian beban fase penuh 10:1, pengoperasian stabil pada rentang suhu industri
7. Performa Termal Luar Biasa: Ketahanan termal sambungan-ke-kotak 8,3~9,2 K/W, bantalan terbuka di area luas untuk pembuangan panas yang efisien, cocok untuk pengoperasian terus-menerus dalam jangka panjang

Aplikasi

• Amplifier daya akhir untuk sel kecil/sel pico pada pita 5G NR n1/n66, 4G LTE B1/B66
• Saluran transmisi RF untuk antena aktif MIMO yang besar
• Repeater RF multi-operator
• Pemancar RF linier untuk jaringan pribadi dan peralatan nirkabel industri
• Modul amplifikasi RF untuk Sistem Antena Terdistribusi (DAS)

Definisi Nomor Bagian

• BLM：Seri MMIC Daya Terintegrasi Ampleon
• 9:Teknologi LDMOS GEN9 generasi ke-9
• D：Arsitektur Doherty jalur ganda
• 2022：Rentang Frekuensi Pengoperasian 2110–2170 MHz (pita inti 2,0–2,2GHz)
• 08：Peringkat Daya kelas 8W
• AM:Versi Kelas Industri Standar
• Z：Kemasan Pita & Gulungan