Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS
BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS
BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS
BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS
BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS
BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLM7G1822S-40PB BLM7G1822S-40PBG BLM7G1822S-40PBY

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
BLM7G1822S-40PBG adalah MMIC daya 2 tahap LDMOS
BLM7G1822S-40PBG adalah amplifier MMIC daya dua bagian dua tahap yang didasarkan pada teknologi GEN7 LDMOS Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan 4G/5G 1805–2170MHz (1,8–2,17GHz), sistem komunikasi multi-carrier, dan amplifier daya Doherty efisiensi tinggi. Bertempat di paket timah datar/sayap camar HSOP (SOT-1212-3) 16-pin, ia memiliki fitur integrasi tinggi, penguatan tinggi, pencocokan mudah, dan keandalan tinggi, kompatibel dengan Doherty simetris/asimetris dan topologi ujung tunggal.
Fitur Utama
  • Kinerja RF: Beroperasi pada 1805–2170MHz, menghasilkan daya jenuh 40W (46dBm) P1dB dengan penguatan tipikal ≥31,5dB, tegangan pengurasan 28V (maks 65V), efisiensi pengurasan tipikal ≥26,5%, mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD dengan linearitas yang sangat baik.
  • Integrasi Tinggi: Desain dua bagian dengan jaringan pencocokan input/output terintegrasi, impedansi standar 50Ω menghilangkan pencocokan eksternal yang kompleks, menyederhanakan desain PCB; sirkuit bias kompensasi suhu bawaan untuk meningkatkan stabilitas.
  • Keandalan & Perlindungan: Perlindungan ESD terintegrasi, tahan terhadap suhu sambungan tinggi dan ketidaksesuaian beban, stabilitas termal yang sangat baik, sesuai RoHS; pin decoupling meningkatkan kinerja bandwidth video untuk aplikasi pita lebar.
  • Kompatibilitas Desain: Mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, kompatibel dengan Doherty simetris/asimetris dan topologi sirkuit ujung tunggal, cocok untuk driver stasiun pangkalan pita 1.8GHz/2.1GHz dan amplifier tahap akhir.
Aplikasi Khas
  • Driver RF stasiun pangkalan 4G/5G/amplifier tahap akhir (pita 1805–2170MHz)
  • Modul amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk sistem komunikasi W-CDMA/LTE multi-operator
  • Pemancar RF infrastruktur komunikasi nirkabel 1,8–2,17GHz
  • Pemancar TV dan aplikasi RF industri (pita ISM)
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim