Penguat Daya RF B10G3336N16DL

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: B10G3336N16DL

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

B10G3336N16DL adalah MMIC Doherty 2 Tahap

Model: B10G3336N16DL

Pabrikan: Ampeon

Tipe Produk: LDMOS 28V Generasi ke-10 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,3–3,6GHz (mencakup pita frekuensi tinggi 5G NR n77/n78) aplikasi sel kecil dan driver keperluan umum

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	3300 MHz ~ 3600 MHz (Precisely covers 5G NR n77/n78 high-frequency core bands)
Peak Output Power	16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42.5dBm typical, up to 43dBm at 28V supply)
Typical Power Gain	35 dB (at 28V supply, 33dBm average output power, 3450MHz)
Typical Drain Efficiency	35% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 3450MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	30 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	LGA-7x7-20-2, 7x7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture	3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 7.9 K/W (at PL=1.585W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 3600MHz), improving system robustness
Gain Flatness	Only 0.5dB within 3300-3600MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih LDMOS generasi ke-10 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 16W dan efisiensi tinggi 35%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR ultra-tinggi 5G (PAR=9,9dB).
Arsitektur Doherty terintegrasi penuh 3 tahap yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -33dBc setelah DPD, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G.
Desain terintegrasi penuh (splitter bawaan, penggabung, jaringan pencocokan 50Ω, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF dan mempercepat waktu pemasaran sel kecil.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks.
Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 0,5dB dalam pita 3300-3600MHz), cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatis.
Paket LGA yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 7,9 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas dan memperpanjang masa pakai perangkat.
Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra lebar, cocok untuk sistem sel kecil generasi berikutnya yang mendukung sinyal pita lebar.
Sesuai RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n77/n78 band (3,3-3,6GHz)
Amplifier driver serba guna untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), yang memenuhi persyaratan sinyal ultra-broadband
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan sel kecil MIMO (mMIMO) yang masif, mendukung persyaratan linearitas dan efisiensi yang tinggi
Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan yang berevolusi 4G LTE, cocok untuk penerapan pita 3,5GHz
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi
Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) yang kompatibel
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi

Produk panas