B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D Penguat Daya RF

B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D Penguat Daya RF

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: B11G3742N81DYZ B11G3742N81DX B11G3742N81D

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

MMIC Doherty 2 Tahap

Model: B11G3742N81D

Pabrikan: Ampeon

Jenis Produk: LDMOS 28V Generasi ke-11 Bagian Ganda 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,7–4,2GHz (mencakup pita frekuensi tinggi 5G NR n77) sel kecil dan aplikasi driver tujuan umum, mencapai keseimbangan sempurna antara integrasi dan efisiensi tinggi dengan teknologi LDMOS canggih

Spesifikasi Utama

Parameter	Specification
Frequency Range	3700 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)
Peak Output Power	81W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (49.1dBm typical, up to 49.5dBm at 28V supply)
Typical Power Gain	32 dB (at 28V supply, 39dBm average output power, 4000MHz)
Typical Drain Efficiency	38% (at 9dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB, 4000MHz)
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current	60 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.4V)
Package Type	PQFN-12x7-36-1 (12×7mm), 36-pin leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB design
Architecture	Dual-section 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 1.8 K/W (at PL=10W, 1-carrier W-CDMA signal)
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 4200MHz), improving system robustness
Gain Flatness	Only 0.6dB within 3700-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection	CDM Class C1 (250V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.6GHz to 8.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

Fitur & Manfaat

Mengadopsi proses canggih LDMOS generasi ke-11 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output ultra-tinggi 81W dan efisiensi tinggi 38%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR ultra-tinggi 5G (PAR=9,9dB).
Arsitektur Doherty terintegrasi penuh 3 tahap dua bagian yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -33dBc setelah DPD, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G.
Desain terintegrasi penuh (pembagi bawaan, penggabung, jaringan pencocokan 50Ω, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF, mempercepat waktu pemasaran sel kecil dan mengurangi biaya sistem.
Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR).
Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks dan mengurangi biaya pemeliharaan stasiun pangkalan.
Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 0,6dB dalam pita 3700-4200MHz), cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal dan meningkatkan keandalan sistem.
Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatik dan meningkatkan hasil produksi.
Paket PQFN yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 1,8 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, memperpanjang masa pakai perangkat, dan mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggi.
Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra lebar, cocok untuk sistem sel kecil generasi berikutnya yang mendukung sinyal pita lebar, memenuhi kebutuhan evolusi jaringan 5G di masa depan.
Sesuai dengan RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global, berkontribusi terhadap pengembangan komunikasi ramah lingkungan.

Aplikasi

Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n77 band (3,7-4,2GHz), mendukung persyaratan daya tinggi dan linearitas tinggi
Amplifier driver serba guna untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), memenuhi kebutuhan sinyal ultra-broadband dan meningkatkan kapasitas sistem
Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan sel kecil MIMO (mMIMO) yang masif, mendukung kepadatan daya tinggi dan kebutuhan efisiensi tinggi, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalan
Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan 4G LTE yang berevolusi, sesuai untuk penerapan pita 3,7-4,2GHz, meningkatkan jangkauan dan kapasitas jaringan
Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), yang memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi, mendukung penerapan lingkungan tingkat industri
Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mengurangi biaya pengembangan peralatan dan mempercepat waktu pemasaran
Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi, membantu operator dengan cepat menyebarkan jaringan 5G dan meningkatkan pengalaman pengguna

Produk panas