Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
BLM9D3842-16AM LDMOS 3 tahap Doherty MMIC terintegrasi
Model: BLM9D3842-16AMZ
Pabrikan: Ampeon
Tipe Produk: LDMOS 28V Generasi ke-9 3 tahap Doherty MMIC RF Power Amplifier yang Terintegrasi Sepenuhnya, dioptimalkan untuk pita 3,8–4,2GHz (mencakup pita inti frekuensi tinggi 5G NR n77), aplikasi sel kecil dan driver tujuan umum, mencapai keseimbangan sempurna antara integrasi dan efisiensi tinggi dengan teknologi LDMOS canggihAmpleon

Spesifikasi Utama

Parameter Specification
Frequency Range 3800 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)Ampleon
Peak Output Power 16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42dBm typical, at 28V supply, pulsed CW measurement)Ampleon
Typical Power Gain 30.2 dB (at 28V supply, 32dBm average output power, 4000MHz, 1-carrier W-CDMA signal)Ampleon
Typical Drain Efficiency 28.5% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 4000MHz)Ampleon
Supply Voltage 26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65VAmpleon
Quiescent Current 38 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)Ampleon
Package Type LGA-7x7-20-2, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminalsAmpleon
Port Characteristics Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB designAmpleon
Architecture 3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stagesAmpleon
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)Ampleon
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 10.76 K/W (at PL=0.8W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB)Ampleon
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 28V supply, 3800MHz, CW signal), improving system robustnessAmpleon
Gain Flatness Only 2.7dB within 3800-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systemsAmpleon
ESD Protection CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliabilityAmpleon
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire bandAmpleon

Fitur & Manfaat

  • Mengadopsi proses lanjutan LDMOS generasi ke-9 Ampleon, mencapai keseimbangan antara daya output tinggi 16W dan efisiensi tinggi 28,5%, ideal untuk sinyal termodulasi PAPR tinggi 5G (PAR=7,2dB)Ampleon.
  • Arsitektur Doherty terintegrasi penuh 3 tahap yang dioptimalkan memberikan kemampuan koreksi Digital Pre-Distortion (DPD) yang sangat baik, memastikan Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) yang luar biasa serendah -34,8dBc, memenuhi persyaratan linearitas yang ketat untuk stasiun pangkalan sel kecil 5GAmpleon.
  • Desain terintegrasi penuh (pembagi bawaan, penggabung, jaringan pencocokan 50Ω, dan tahapan driver) sangat menyederhanakan desain PCB RF, mempercepat waktu pemasaran sel kecil dan mengurangi biaya sistemAmpleon.
  • Kontrol independen terhadap bias pembawa dan peaking memungkinkan optimalisasi linearitas dan kinerja efisiensi yang fleksibel dalam kondisi pengoperasian yang berbeda, cocok untuk sistem komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)Ampleon.
  • Toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik, mampu menahan VSWR=10:1 di semua fase, meningkatkan ketahanan sistem di lingkungan yang kompleks dan mengurangi biaya pemeliharaan stasiun pangkalanAmpleon.
  • Kerataan penguatan ultra lebar (hanya 2,7dB dalam pita 3800-4200MHz), cocok untuk sistem komunikasi ultra-broadband, mengurangi kebutuhan sirkuit pemerataan eksternal dan meningkatkan keandalan sistemAmpleon.
  • Sirkuit perlindungan ESD terintegrasi (CDM 1000V, HBM 2000V) meningkatkan keandalan perangkat selama produksi dan aplikasi, mengurangi risiko kerusakan elektrostatik dan meningkatkan hasil produksiAmpleon.
  • Paket LGA yang ditingkatkan secara termal dengan ketahanan termal sambungan-ke-kotak serendah 10,76 K/W, secara efektif meningkatkan kinerja pembuangan panas, memperpanjang masa pakai perangkat, dan mendukung desain kepadatan daya yang lebih tinggiAmpleon.
  • Mendukung aplikasi Video BandWidth (VBW) ultra lebar, cocok untuk sistem sel kecil generasi berikutnya yang mendukung sinyal pita lebar, memenuhi kebutuhan evolusi jaringan 5G di masa depanAmpleon.
  • Sesuai RoHS, cocok untuk pembangunan dan penerapan infrastruktur komunikasi 5G global, berkontribusi terhadap pengembangan komunikasi ramah lingkunganAmpleon.

Aplikasi

  • Unit amplifikasi daya tahap akhir RF untuk stasiun pangkalan sel kecil 5G NR n77 band (3,8-4,2GHz), mendukung persyaratan daya tinggi dan linearitas tinggiAmpleon
  • Amplifier driver serba guna untuk sistem komunikasi agregasi multi-carrier (CA), memenuhi kebutuhan sinyal ultra-broadband dan meningkatkan kapasitas sistemAmpleon
  • Modul front-end RF untuk stasiun pangkalan sel kecil MIMO (mMIMO) yang masif, mendukung kepadatan daya tinggi dan kebutuhan efisiensi tinggi, mengurangi konsumsi energi stasiun pangkalanAmpleon
  • Proyek peningkatan dan renovasi untuk stasiun pangkalan 4G LTE yang berevolusi, sesuai untuk penerapan pita 3,8-4,2GHz, meningkatkan jangkauan dan kapasitas jaringanAmpleon
  • Sistem transmisi RF untuk komunikasi jaringan pribadi dan Industrial Internet of Things (IIoT), yang memerlukan aplikasi broadband dan keandalan tinggi, mendukung penerapan lingkungan tingkat industriAmpleon
  • Modul amplifikasi daya untuk peralatan komunikasi multi-standar (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR), mengurangi biaya pengembangan peralatan dan mempercepat waktu pemasaranAmpleon
  • Proyek peningkatan dan renovasi infrastruktur komunikasi nirkabel, terutama untuk penerapan jaringan 5G frekuensi tinggi, membantu operator dengan cepat menyebarkan jaringan 5G dan meningkatkan pengalaman penggunaAmpleon
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> Penguat Daya RF BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim