Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V
BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V
BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V
BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V
BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V

BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: BLC10G15XS-301AVTZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
Nomor Bagian: BLC10G15XS-301AVT
Pabrikan:Ampleon
Tipe Perangkat:LDMOS generasi ke-10, transistor daya RF Doherty asimetris 30V
Pita Frekuensi:1452~1492 MHz(pita 5G n5 / 4G B5)
Aplikasi: Penguat daya akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G AAU & RRU, dioptimalkan untuk transmisi linier berdaya tinggi pita rendah.

Spesifikasi Utama(Tcase=25°C, VDS=30V, sinyal W-CDMA)

  • Rentang Frekuensi:1452MHz ~ 1492MHz
  • Tegangan Pasokan:30 V (Biasa), Maks 65V
  • Arus Diam: 300mA (Utama)
  • Daya Keluaran Rata-rata:56,3 W (47,5dBm)
  • Daya Output Puncak:305 W (Biasa)
  • Penguatan Daya:18,2 dB (Biasa)
  • Efisiensi Pembuangan:50,5% (Biasa)
  • ACPR:−27,8 dBc (Biasa)
  • Kerugian Pengembalian Masukan:−14 dB (Biasa)
  • Paket: SOT1275-1, paket rongga udara flensa tanpa telinga 6 timah
  • Ketahanan Termal (JC):0,20~0,24 K/W
  • Kekasaran: Toleransi ketidaksesuaian beban fase penuh VSWR 10:1

Fitur

  1. Teknologi LDMOS Generasi ke-10: Ketangguhan tinggi dengan toleransi ketidaksesuaian beban yang sangat baik untuk pengoperasian stasiun pangkalan jangka panjang;
  2. Arsitektur Doherty Asimetris Terintegrasi: Dioptimalkan untuk sinyal multi-carrier PAPR 5G NR & LTE tinggi dengan linearitas superior;
  3. Pra-Pencocokan Input On-Chip: Menyederhanakan desain RF eksternal dan mempercepat pengembangan;
  4. Efek Memori Rendah: Memastikan penolakan saluran berdekatan yang sangat baik dengan linearisasi DPD;
  5. Resistensi Termal Rendah: Memungkinkan pengoperasian daya tinggi berkelanjutan yang andal;
  6. Perlindungan ESD Terintegrasi: Meningkatkan kemampuan antistatis dan keandalan jangka panjang;
  7. Sesuai RoHS: Memenuhi standar lingkungan.

Aplikasi Khas

  • Penguat akhir stasiun pangkalan makro untuk pita 5G n5 & 4G B5;
  • Sistem transmisi RF multi-operator pada 1452–1492 MHz;
  • Modul amplifier daya RF linier berdaya tinggi.

Definisi Nomor Bagian

  • BLC: Seri perangkat daya Ampleon LDMOS;
  • 10G: proses LDMOS generasi ke-10;
  • 15: pita frekuensi 1,5GHz (1452–1492MHz);
  • XS: Doherty Asimetris, paket standar;
  • 301: 300W+ daya puncak;
  • AVT: Flensa tanpa telinga, paket rongga udara dengan decoupling video.
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> LDMOS Daya HF / VHF> BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim