BLC9H10XS-505AZ RF MOSFET LDMOS

dapatkan harga terbaru

Min. Memesan:

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: BLC9H10XS-505AZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk

Nomor Bagian: BLC9H10XS-505AZ

Pabrikan：Ampleon

Tipe Perangkat: Transistor daya RF LDMOS 48V generasi ke-9, desain Doherty asimetris, dengan pencocokan input 50Ω terintegrasi, dioptimalkan untuk amplifier akhir stasiun pangkalan makro sub-1GHz 4G/5G

Spesifikasi Utama

Rentang Frekuensi：617MHz ~ 960MHz
Tegangan Pasokan Khas：48 V,VDS Maks：105 V
Daya Keluaran：500W
Penguatan Daya：17,8 dB (Biasa)
Efisiensi Pengurasan：53% (mode Doherty)
Paket:Paket flensa tanpa telinga SOT1250-4
Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus): 0,42 K/W
Ketangguhan: Kemampuan menahan kekuatan penuh VSWR 10:1
Fitur: Efek memori rendah, kompatibel dengan DPD, perlindungan ESD bawaan, pencocokan masukan terintegrasi, linearitas tinggi

Fitur Utama

Mengadopsi struktur Doherty asimetris untuk menyeimbangkan efisiensi tinggi dan linearitas yang sangat baik.

Cakupan pita lebar sub-1GHz untuk sinyal multi-operator 4G LTE dan 5G NR tinggi PAR.

Paket flensa memastikan pembuangan panas yang sangat baik dan stabilitas operasional jangka panjang; toleransi ketidakcocokan beban yang kuat.

Jaringan pencocokan terintegrasi mengurangi komponen periferal dan menyederhanakan desain amplifier.

Aplikasi Khas

Penguat daya tahap akhir untuk stasiun pangkalan makro 4G/5G AAU/RRU, modul daya Doherty pita lebar sub-1GHz, jaringan nirkabel pribadi, dan pemancar RF berdaya tinggi untuk keselamatan publik.