Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh

B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: B10G2022N10DLZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
MMIC Doherty 2 tahap
Nomor Bagian:B10G2022N10DL
Pabrikan:Ampleon
Tipe Perangkat:2 tahap 10W Doherty MMIC (LDMOS) terintegrasi penuh, 2110–2170 MHz (5G n1/4G B1), amplifier final sel kecil / mMIMO, solusi efisiensi tinggi integrasi tinggiAmpleon.

Spesifikasi Utama (Tcase=25°C, VDS=28V, 1‑carrier W‑CDMA)

  • Rentang Frekuensi:2110MHz ~ 2170MHz (n1/B1)
  • Tegangan Pasokan Pembuangan (VDS):28 V (Biasa), Maks 32 V
  • Arus Diam (IDq): 22 mA (driver + total akhir)
  • Daya Output Rata-rata (PL(AV)):1,26 W (W‑CDMA, PAR=9,9 dB)
  • Daya Keluaran P1dB:10 W (40 dBm, Biasa)
  • Penguatan Daya (Gp):31,3 dB (Biasa)
  • Efisiensi Pembuangan (ηD):46,6 % (Biasa)
  • Linearitas (ACPR5M):-29,8 dBc (Biasa)
  • Paket:LGA 7×7 mm (20 pin, susunan jaringan tanah, pemasangan panas di permukaan)
  • Ketahanan Termal (Persimpangan ke Kasus):6,5 K/W
  • Fitur: Doherty on-chip (pembawa + peaking, splitter/combiner, pencocokan), kontrol bias independen, perlindungan ESD, 50Ω I/OAmpleon.

Fitur Utama

  • Doherty MMIC yang terintegrasi penuh: 2 tahap, pembawa/puncak, pemisah masukan, penggabung keluaran & chip tunggal pencocokan terintegrasi, tanpa komponen eksternal, plug-and-playAmpleon;
  • Cakupan presisi 2110–2170 MHz:5G NR n1 / 4G LTE B1 pita arus utama global, kompatibel dengan multi-standarAmpleon;
  • Penguatan tinggi + efisiensi + linearitas:penguatan 31,3 dB, efisiensi 46,6 %, ACPR -29,8 dBc, kinerja emas sel kecil / mMIMOAmpleon;
  • Kontrol bias independen: bias pembawa & puncak dapat disesuaikan (VGSq(puncak)=VGSq(pembawa)-0,45V), mengoptimalkan efisiensi/linearitasAmpleon Doherty;
  • Paket integrasi tinggi LGA:ukuran ringkas 7×7 mm, impedansi 50Ω, termal luar biasa, menyederhanakan PCB & memperpendek siklus desainAmpleon;
  • ESD bawaan + ketangguhan tinggi: Sesuai RoHS, toleran ketidakcocokan, keandalan tinggi.

Aplikasi Khas

  • Amplifier akhir sel kecil / sel pico 5G NR n1 / 4G LTE B1 (2110–2170 MHz) (skenario linearitas tinggi 10W);
  • Tahap akhir saluran RF MIMO besar-besaran (mMIMO);
  • Nirkabel pribadi, keamanan publik, pemancar RF 10W pita ISM;
  • Tahap pra-driver/driver pemancar berdaya tinggi multi-carrier.

Definisi Nomor Bagian

  • B10G:LDMOS generasi ke-10 kelas 10W, Doherty MMIC serbaguna
  • 2022:Pita 2000–2200 MHz (inti 2110–2170 MHz)
  • N10:peringkat daya 10W (P1dB)
  • DL:Paket Doherty LGA
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> B10G2022N10DLZ 2stage 10W Doherty MMIC terintegrasi penuh
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim