Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Indonesia

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Indonesia
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC

B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC

dapatkan harga terbaru
Min. Memesan:1
Atribut Produk

Model No: B10G2527N10DL B10G2527N10DLZ

Merek: AMPLEON

& pengiriman paket

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Deskripsi Produk
MMIC Doherty 2 tahap
B10G2527N10DL adalah amplifier Doherty MMIC 2 tahap yang terintegrasi penuh berdasarkan teknologi LDMOS canggih dari Ampleon, dioptimalkan untuk stasiun pangkalan pita menengah 5G NR 2500–2700MHz (2,5–2,7GHz), sistem komunikasi multi-operator, dan pemancar RF efisiensi tinggi. Bertempat dalam paket tanpa timbal LGA-20-2 berukuran 7mm×7mm, produk ini memiliki fitur integrasi tinggi, efisiensi tinggi, gain tinggi, dan kontrol bias independen, cocok untuk tahapan driver stasiun pangkalan 5G dan aplikasi amplifikasi RF tujuan umum.
Fitur Utama
  • Kinerja RF: Beroperasi pada 2500–2700MHz, menghasilkan daya jenuh 10W (40dBm) P1dB dengan penguatan tipikal ≥30dB, tegangan pengurasan 28V (maks 65V), efisiensi pengurasan tipikal ≥45,4%, mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD dengan linearitas yang sangat baik.
  • Integrasi Tinggi: Arsitektur Doherty terintegrasi penuh dengan transistor pembawa/puncak, pembagi masukan, penggabung keluaran, dan jaringan pencocokan keluaran yang terintegrasi dalam satu paket; Impedansi standar 50Ω menghilangkan sirkuit eksternal yang rumit, menyederhanakan desain PCB.
  • Kontrol Fleksibel: Kontrol independen terhadap bias pembawa dan puncak memungkinkan penyesuaian yang tepat untuk kebutuhan daya dan linearitas yang berbeda; perlindungan ESD bawaan meningkatkan keandalan sistem.
  • Stabilitas Termal: Ketahanan termal sambungan-ke-kotak yang rendah sebesar 10,29K/W memastikan pembuangan panas yang sangat baik, mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, ideal untuk desain kepadatan daya tinggi.
Aplikasi Khas
  • Amplifier driver RF stasiun pangkalan 5G NR pita tengah (2,5–2,7GHz).
  • Modul amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk sistem komunikasi multi-operator LTE/5G NR
  • Pemancar RF infrastruktur komunikasi nirkabel 2,5–2,7GHz
  • Amplifikasi RF tujuan umum dan instrumen uji aplikasi front-end RF
Rumah> Produk> Transistor Daya RF> MMIC Doherty 2 Tahap> B10G2527N10DLZ RF MOSFET MMIC
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim