B10G2327N55DZ RF MOSFET LDMOS

Fitur Utama

• Performa RF: Beroperasi pada 2300–2700MHz, menghasilkan daya jenuh P1dB 43,65W (~46,4dBm) dengan penguatan tipikal ≥30dB, tegangan pengurasan 28V (maks 65V), efisiensi pengurasan tipikal ≥35,7%, bandwidth video >400MHz, kerataan penguatan 0,3dB, mendukung linearisasi multi-carrier dan DPD dengan ACPR5M hingga -38.5dBc, memastikan linearitas yang sangat baik.
• Arsitektur Doherty Asimetris: Transistor pembawa/puncak asimetris bawaan, pembagi masukan, penggabung keluaran, dan jaringan pencocokan keluaran dengan impedansi keluaran 30Ω (pra-pencocokan terintegrasi), menghilangkan sirkuit eksternal yang kompleks dan menyederhanakan desain dan debugging PCB.
• Kontrol & Perlindungan Fleksibel: Kontrol independen terhadap bias pembawa dan puncak memungkinkan penyesuaian yang tepat untuk kebutuhan daya dan linearitas yang berbeda; perlindungan ESD bawaan, faktor stabilitas Rollett >1, dan koefisien suhu penguatan rendah 0,05dB/°C memastikan stabilitas dan keandalan termal yang sangat baik.
• Keuntungan Termal & Pengemasan: Ketahanan termal sambungan-ke-kotak yang rendah memungkinkan pembuangan panas yang unggul, mendukung mode gelombang kontinu (CW) dan pulsa, paket PQFN20 7mm×7mm yang ringkas, ideal untuk desain modul RF stasiun pangkalan dengan ruang terbatas.

Aplikasi Khas

• Driver RF stasiun pangkalan 5G NR/LTE multi-band 2,3–2,7GHz dan amplifier tahap akhir
• Modul amplifikasi daya Doherty berefisiensi tinggi untuk pemancar RF sistem MIMO yang masif
• Sistem komunikasi multi-operator dan infrastruktur komunikasi nirkabel front-end RF
• Solusi amplifikasi daya stasiun pangkalan makro dan mikro kecil 2,3–2,7GHz
• Instrumen uji RF serbaguna dan aplikasi RF industri (pita ISM)